ROHM推出750V TOLL封装SiC MOSFET，助力高功率密度设计

全球领先的半导体制造商ROHM近日宣布，其TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列已进入量产阶段。这款新型器件不仅在体积和厚度上显著缩小，还提升了散热性能，使其成为服务器电源、储能系统（ESS）及超薄电源等高功率密度应用的理想选择。

高效散热与紧凑设计兼得

ROHM的SCT40xxDLL系列产品通过采用TOLL封装，在保持高性能的同时实现了显著的小型化。与传统的TO-263-7L封装相比，新产品的器件面积减少了约26%，厚度更是从4.5 mm减至仅2.3 mm。尽管体型更小更薄，但其散热性能却提升了约39%，这使得该系列产品能够在紧凑的空间内支持更高的功率输出。

值得一提的是，虽然许多TOLL封装的同类产品通常提供650V的漏源额定电压，但ROHM的新品将这一数值提升至750V。这意味着即使在考虑浪涌电压的情况下，也能有效抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗，进一步提升系统效率。

应对市场需求的创新解决方案

随着AI服务器、小型光伏逆变器等应用场景对功率密度要求的不断提高，市场对于既能提高功率密度又满足小型化需求的功率MOSFET呼声日益高涨。特别是对于被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路的设计必须符合厚度不超过4 mm的苛刻标准。为应对这些挑战，ROHM开发了这款厚度仅为2.3 mm的TOLL封装SiC MOSFET，远低于传统封装产品的4.5 mm厚度。

丰富的产品阵容与广泛应用

ROHM此次推出的SCT40xxDLL系列包括以下六款型号：

SCT4013DLL

SCT4020DLL

SCT4026DLL

SCT4036DLL

SCT4045DLL

SCT4065DLL

如需以上产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

每款产品均具备不同的导通电阻值，以适应多样化的应用场景。例如：

工业设备：适用于AI服务器和数据中心电源、光伏逆变器以及储能系统（ESS）。这些领域对高效能、高可靠性和紧凑设计有着严格要求。

消费电子：可用于各类一般电源，尤其是那些需要兼顾性能与空间限制的应用场景。

技术优势与实际应用

除了上述提到的尺寸和散热方面的改进，SCT40xxDLL系列还具有以下技术亮点：

低导通电阻：有助于减少传导损耗，提高整体转换效率。

快速开关特性：得益于SiC材料的优越性能，能够实现更快的开关速度，降低开关损耗。

高可靠性：通过严格的测试验证，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。

在具体应用中，如数据中心的电源管理系统，SCT40xxDLL系列可以有效提升系统的功率密度，同时减少散热设计的复杂性。而在光伏逆变器和ESS系统中，其高效的能量转换能力和紧凑的设计则有助于节省安装空间，提高系统的整体性能。