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2025年，全球知名半导体厂商ROHM（总部位于日本京都市）宣布推出一款创新型保护用肖特基势垒二极管——RBE01VYM6AFH。该产品在正向导通电压（VF）与反向漏电流（IR）这一传统权衡关系中实现了突破性平衡，专为高像素图像传感器应用中的电源保护而设计，尤其适用于ADAS（高级驾驶辅助系统）摄像头等对可靠性要求极高的场景。
随着ADAS技术的快速发展，车载摄像头的分辨率持续提升，图像传感器的像素密度不断增大。在车辆熄火或系统断电时，摄像头模组仍可能因环境光照产生“光生电压”，若无法有效泄放，可能导致后端电路承受反向电压冲击，引发器件损坏或系统故障。为应对这一挑战，业界普遍采用肖特基势垒二极管（SBD）作为保护元件，利用其低VF特性快速导通，将光生电压钳位于安全范围。
然而，传统SBD在实现低VF的同时，往往伴随较高的反向漏电流（IR），这在高温运行环境下尤为明显。过高的IR不仅会增加静态功耗，还可能引发电路热失控或误动作，严重影响系统稳定性。VF与IR之间的“此消彼长”关系，长期制约着保护方案的优化。
ROHM此次推出的RBE01VYM6AFH通过创新的器件结构设计，从根本上突破了这一技术瓶颈。该产品采用ROHM自主研发的专有技术，优化了金属-半导体接触界面与掺杂分布，在确保极低正向压降的同时，大幅抑制了反向漏电流。测试数据显示，在严苛工况下，该二极管仍能同时满足行业关键指标：在Ta=-40℃、IF=7.5mA条件下，VF＜300mV；在Ta=125℃、VR=3V条件下，IR＜20μA（原文“20mA”疑为笔误，应为μA级）。
这一性能突破使RBE01VYM6AFH成为高可靠性保护方案的理想选择。在系统关断时，其低VF特性可迅速导通，有效泄放图像传感器产生的光生电压，防止后端IC受损；在系统运行时，其超低IR特性则显著降低了漏电流带来的热效应和功耗，避免热失控风险，提升整体系统稳定性。
此外，该产品采用紧凑的DF2B封装，便于在空间受限的摄像头模组中集成。其高可靠性设计也符合车规级应用要求，适用于前视、环视、舱内监控等各类车载摄像头，以及工业相机、安防监控等高端成像设备。
ROHM表示，RBE01VYM6AFH的推出，标志着肖特基二极管从传统的整流应用向高精度保护应用的延伸。通过将整流器件的低VF优势创新性地应用于保护电路，ROHM为高像素图像传感器系统提供了更安全、更可靠的电源管理解决方案，助力ADAS和自动驾驶技术的进一步发展。
如需RBE01VYM6AFH产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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