英飞凌推出第二代CoolSiC 1200V分立器件TO247-4引脚IMZA封装

近日，英飞凌科技正式推出第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V系列新品，型号覆盖IMZA120R012M2H至IMZA120R078M2H共八款器件。该系列产品采用TO247-4引脚（IMZA）封装，在保持与现有系统安装兼容的基础上，全面升级性能表现，为光伏、储能、电动汽车充电、UPS及工业驱动等高功率应用提供更高效、紧凑且可靠的解决方案。

CoolSiC™ MOSFET 1200V系列新品产品型号

IMZA120R012M2H

IMZA120R017M2H

IMZA120R022M2H

IMZA120R026M2H

IMZA120R034M2H

IMZA120R040M2H

IMZA120R053M2H

IMZA120R078M2H

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性能跃升：更低损耗，更高效率

第二代CoolSiC™ MOSFET在开关性能和可靠性方面实现显著突破。得益于优化的.XT扩散焊技术与器件结构设计，其开关损耗较前代降低达25%，总功率损耗减少约10%。实测数据显示，在典型工况下，MOSFET工作结温可降低11℃，有效提升系统长期运行稳定性。

这一性能提升直接转化为系统级优势：更高的能效表现不仅延长设备寿命，还允许缩小散热器尺寸甚至取消主动风冷，从而简化热管理设计、降低整机成本。

核心特性：面向高频高可靠设计

优异的开关品质因数（FOM）：在硬开关与软开关拓扑中均表现出更低延迟与损耗，适用于图腾柱PFC、LLC谐振、三相逆变等多种主流AC-DC、DC-DC和DC-AC架构。

2μs短路耐受能力：增强器件在异常工况下的鲁棒性，提高系统安全性。

抗寄生导通与米勒效应抑制：通过优化阈值电压（VGS(th)）分布和栅极设计，显著降低误触发风险，提升并联工作的稳定性和一致性。

易于并联扩展：得益于低动态电流不平衡和高抗干扰能力，多管并联设计更简单，适用于大功率模块化系统。

封装与兼容性：无缝替换，加速量产

IMZA封装采用4引脚开尔文源极结构，分离功率源极与信号源极，有效减少共源电感影响，确保高速开关下的驱动稳定性。同时，该封装与标准TO247-4L插槽完全兼容，客户可在不修改PCB布局的情况下实现平滑升级，大幅缩短产品开发周期。

应用价值：推动高功率系统小型化与高效化

凭借更低损耗和更高开关频率支持能力，第二代CoolSiC™ MOSFET助力电源系统实现：

更高功率密度：减小磁性元件和滤波电容体积；

冷却系统优化：降低散热需求，支持无风扇设计；

高可靠性设计：满足工业级严苛环境要求，提升MTBF（平均无故障时间）；

全拓扑适配：适用于所有常见功率变换组合，具备广泛适用性。

市场定位：引领碳化硅技术普及

随着新能源市场对效率、成本与可靠性的综合要求不断提升，英飞凌通过规模化制造与工艺优化，正推动碳化硅器件从“高性能”向“高性价比”演进。此次发布的第二代CoolSiC™ MOSFET已在多家头部客户的光伏逆变器与充电桩项目中完成验证，展现出卓越的量产成熟度。

未来，该平台将持续拓展在能源基础设施中的应用边界，为构建更智能、更高效的电力电子生态系统提供关键支撑。