纳芯微发布高性能M7内核MCU NS800RT113x，突破实时控制算力瓶颈

近日，纳芯微电子正式推出基于Arm® Cortex®-M7内核的NS800RT113x系列高性能MCU，瞄准电机控制、电力电子与工业自动化等对算力和实时性要求严苛的应用场景，致力于解决传统MCU在复杂控制任务中日益凸显的性能瓶颈。

随着智能电机、新能源发电、储能系统等技术快速发展，行业对控制器的运算能力、响应速度与外设精度提出了更高要求。尽管Cortex-M4仍是当前主流MCU的核心选择，但其在高阶控制算法处理、多轴协同控制等方面已逐渐触及性能天花板。纳芯微此次推出的NS800RT1135/1137型号，搭载主频高达200MHz的Cortex-M7内核，在DMIPS/Hz和CoreMark/Hz性能上相较M4分别提升83%和49%，并原生支持TCM（紧耦合内存），实现指令与数据的零等待访问，显著增强实时响应能力。

更值得关注的是，该系列集成了纳芯微自研的mMATH数学加速核，可高效执行三角函数、指数对数等超越函数及浮点运算，大幅减轻CPU负担，使复杂控制算法如FOC、SVPWM等执行效率提升数倍。配合最大256KB带ECC保护的Flash与80KB TCM，系统在高负载下仍能保持稳定可靠运行。

在外设层面，NS800RT113x系列展现出极强的控制适应性。其集成14路PWM输出，由专用事件管理器调度，支持最多8个比较点配置，其中两路高精度PWM分辨率可达80ps，满足高频、高精度电源与电机驱动需求。片内ADC采样率高达4.375Msps，支持双组21通道同步采集，适用于多相电流电压实时监测。此外，创新集成的两个CLB（Configurable Logic Block）可编程逻辑模块，允许用户实现自定义时序控制、硬件级保护逻辑，有效降低对外部FPGA或CPLD的依赖，简化系统设计并提升可靠性。

接口方面，芯片提供3路UART、2路SPI、2路I2C及1路CAN 2.0，便于构建多节点工业通信网络。封装涵盖LQFP64、LQFP48、QFN48与QFN32，兼顾性能与空间限制，适用于紧凑型终端设备。

NS800RT113x系列选型表

NS800RT1137-DQFEY2

NS800RT1137-DQFFY2

NS800RT1137-DQNFY2

NS800RT1137-DQNGY2

NS800RT1135-DQFEY2

NS800RT1135-DQFFY2

NS800RT1135-DQNFY2

NS800RT1135-DQNGY2

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纳芯微表示，NS800RT113x系列以“高性能+高性价比”为核心定位，旨在降低M7内核MCU的应用门槛。在当前“算力单价”成为关键指标的背景下，该产品让开发者能以接近M4的成本获得M7级别的处理能力，推动高端控制技术向更广泛市场渗透。

此次发布不仅标志着国产MCU在高性能实时控制领域的进一步突破，也为工业、能源、消费电子等行业提供了更具竞争力的国产化解决方案。随着生态配套逐步完善，NS800RT113x有望成为下一代智能控制器的核心引擎。