安森美将携车载SiC主驱等创新方案亮相PCIM Asia

2025年9月24日至26日，亚洲电力电子行业年度盛会PCIM Asia将在上海新国际博览中心举行。安森美（onsemi）将重磅参展，聚焦AI数据中心、工业与汽车三大核心领域，全面展示其在高效能功率技术方面的前沿成果。继此前发布AI与工业领域展品亮点后，安森美近日率先剧透其在汽车应用方向的多项关键技术方案。

11kW OBC方案：基于DAB架构的双向SiC设计

面向电动汽车车载充电器（OBC）市场，安森美推出基于M3S EliteSiC™技术的高性能解决方案。该方案采用双有源桥（DAB）拓扑结构，实现交流到直流的高效转换，具备电气隔离与能量双向流动能力，支持V2G（Vehicle-to-Grid）应用，契合未来智能电网与能源互联趋势。

在11kW系统级别下，该方案可实现高达97.2%的峰值效率，显著优于行业平均水平。同时，得益于SiC器件的高频特性，大幅减少了磁性元件和电容等无源器件的使用，整机功率密度达到2.3kW/L（含外壳），助力OBC向小型化、轻量化发展。

主驱逆变器模块：低杂感+高集成，驱动性能跃升

在电动车主驱逆变器领域，安森美推出基于最新M3e EliteSiC™技术的功率模块，专为高功率密度和高可靠性需求打造。该模块具有低于4nH的极低杂散电感，配合仅1.4mΩ的内阻表现，可显著降低开关与导通损耗，提升整车续航能力。

模块设计兼顾制造便利性，支持螺丝连接与压接两种安装方式，适配不同产线工艺需求。同时，安森美配套推出NCV51755隔离式栅极驱动器，支持15A峰值输出电流，并提供可调驱动强度，优化开关行为。该驱动器符合ISO 26262 ASIL-D功能安全等级，集成丰富诊断功能，为高安全要求的主驱系统提供完整信号链支持。

区域架构方案：SmartFET融合SmartGuard，重构配电系统

随着汽车电子电气架构向“区域化”演进，安森美推出集成SmartGuard特性的SmartFET产品，重新定义车载电源管理。该方案支持可配置的I²t保护算法，可替代传统保险丝与继电器，实现更精确的过流保护与快速故障响应。

此外，其容性负载安全充电模式可有效抑制上电冲击，保护敏感电子设备；低静态电流模式则确保在车辆休眠状态下功耗极低，保障OTA远程升级的稳定执行，满足下一代智能电动车对能效与可靠性的双重需求。

更多创新技术同步展出

除上述核心方案外，安森美还将展示包括PowerTrench® T10 MOSFET、汽车LED照明驱动、以及先进的功率器件封装技术在内的多种解决方案，覆盖从功率转换到智能控制的广泛应用场景。

作为碳化硅技术的领先推动者，安森美正通过M3系列SiC平台，持续强化其在电动汽车动力总成、充电基础设施及智能化配电领域的技术优势。此次PCIM Asia展会，不仅是一次技术集中呈现，更是其“以创新赋能可持续未来”战略的生动体现。

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