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电池供电工具与设备的市场增长迅速，对快速、高效充电解决方案的需求日益增加。为满足这一需求，设计人员需精心挑选合适的拓扑结构及元器件，以确保在不同功率水平和工作电压下实现最佳性能。安森美（onsemi）凭借其广泛的功率分立器件系列，特别是基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET，成为推动这一领域创新的关键力量。
安森美的650V M3S EliteSiC MOSFET系列产品专为高频应用而优化，频率范围从40kHz至400kHz。相较于前代产品，栅极电荷减少了50%，EOSS降低了44%，输出电容中的存储电荷（QOSS）同样减少了44%。这些改进不仅提高了轻载条件下的系统效率，还简化了LLC级软开关拓扑的谐振腔电感设计。特别是在PFC和DC-DC模块中高频运行时，M3S EliteSiC MOSFET能够保持低温操作，显著提升了整体系统的可靠性和效率。
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在电动汽车电驱系统中，牵引逆变器作为“心脏”部件，直接影响车辆的扭矩输出、加速度性能与续航表现。尽管IGBT技术仍广泛应用于当前主流车型，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的开关特性与导通性能，正逐步成为高效率、高功率密度逆变器设计的首选。安森美（onsemi）推出的EliteSiC系列产品，围...【详情+】
2025年，安森美（onsemi，NASDAQ: ON）宣布其EliteSiC M3e碳化硅（SiC）技术已成功应用于小米汽车全新电动SUV——YU7的部分车型，助力其构建高性能800V高压驱动平台。这一合作标志着国产智能电动汽车在核心电驱技术领域持续升级，也凸显安森美在碳化硅功率半导体市场的领先地位。据悉，小米YU7...【详情+】
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