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在电动汽车电驱系统中，牵引逆变器作为“心脏”部件，直接影响车辆的扭矩输出、加速度性能与续航表现。尽管IGBT技术仍广泛应用于当前主流车型，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的开关特性与导通性能，正逐步成为高效率、高功率密度逆变器设计的首选。安森美（onsemi）推出的EliteSiC系列产品，围绕系统级效率优化，提供从模块化解决方案到裸芯自定义设计的完整技术路径。
SiC技术的核心优势在于显著降低开关与导通损耗，尤其在800V高压平台下表现突出，可提升逆变器整体效率达2–4%，并支持更高开关频率，减小无源器件体积。安森美提供三种基于EliteSiC的功率级构建方式：其一是集成针鳍散热器的单6-Pack模块SSDC39，采用凝胶填充封装与Press-Fit引脚，实现高可靠性与直接冷却，适用于追求高集成度和快速部署的设计；其二是AHPM15半桥模块方案，三颗模块组合使用，在保证性能的同时提升热管理与布局灵活性；其三是基于M3e技术的无封装裸芯（如NCS025M3E120NF06X），尺寸仅5mm×5mm，导通电阻低至11mΩ（@VGS=18V, ID=135A, TJ=25°C），适用于定制化模块设计，最大化功率密度与热性能。
安森新推出的B2S与B6S工程样品模块，基于全新1200V M3e MOSFET技术，采用可烧结结构，提升长期可靠性。其中B2S为半桥模块（58×64×8.6mm），支持灵活拓扑配置；B6S则为集成散热器的6-Pack大功率模块，面向高性能电驱平台。M3e技术通过缩小晶胞间距（较M1系列缩小超60%），实现导通电阻与栅极电荷的协同优化，降低Eon+Eoff综合损耗。
系统层面，安森美配合高性能隔离栅极驱动器（如NCV51730），确保快速、可靠的PWM信号传输，支持高达100kHz以上的开关频率。内置温度、电压与电流检测机制，结合MCU实现闭环控制，在驱动与能量回收（再生制动）模式下均保持高效运行。如需NCV51730等产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
2025年，安森美（onsemi，NASDAQ: ON）宣布其EliteSiC M3e碳化硅（SiC）技术已成功应用于小米汽车全新电动SUV——YU7的部分车型，助力其构建高性能800V高压驱动平台。这一合作标志着国产智能电动汽车在核心电驱技术领域持续升级，也凸显安森美在碳化硅功率半导体市场的领先地位。据悉，小米YU7...【详情+】
全球领先的半导体制造商安森美（onsemi，纳斯达克代码：ON）近日宣布，与德国驱动技术巨头舍弗勒（Schaeffler）达成新的战略合作，其下一代碳化硅（SiC）MOSFET产品——EliteSiC 系列成功应用于舍弗勒最新开发的主驱逆变器系统。该系统将部署于一家国际头部汽车制造商的插电式混合动力电动汽车（PHE...【详情+】
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