英飞凌CoolMOS™ 8 SJ MOSFET：面向高压应用的高性能升级方案

在高功率开关电源设计中，MOSFET的选择直接关系到系统的效率、可靠性与成本控制。英飞凌最新推出的650V CoolMOS™ 8超结（SJ）MOSFET系列，为工业、通信及电动汽车充电等高压应用场景提供了全新一代功率器件解决方案，不仅继承了前代产品的技术优势，还在性能、封装和系统兼容性方面实现了多项优化。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍CoolMOS™ 8系列：技术亮点、可选型号及应用价值。

技术亮点解析

CoolMOS™ 8系列基于先进的超结结构技术，具备**业界领先的RDS(on) × 面积（RDS(on)A）指标*，显著降低导通损耗，提升整体能效。该系列产品提供从8mΩ到60mΩ的多种导通电阻选项，满足不同功率等级需求，尤其适用于高频、高效率拓扑如LLC谐振转换器、图腾柱PFC等。

一个关键的技术增强在于其集成快速体二极管，大幅改善反向恢复特性（Qrr），并缩短反向恢复时间（trr），相较竞品平均减少35%。这一改进有助于抑制开关过程中的电压振铃，提高系统稳定性，特别适合于需要频繁换向的应用场景，如电机驱动或固态断路器（SSCB）。

此外，CoolMOS™ 8采用了先进互连技术和顶部散热封装（如QDPAK），有效提升热管理能力，使器件在高温环境下仍能保持稳定运行。同时，顶部散热设计也有助于简化PCB布局，提高模块化设计灵活性。

系统级优势与应用价值

相较于上一代CoolMOS™ 7系列（包括C7和CFD7），CoolMOS™ 8在多个维度实现性能跃升：

更高的电压裕量：650V耐压可支持277V AC输入，满足数据中心服务器电源、电信整流器等对宽电压范围的需求；

更强的抗浪涌能力：适用于电动汽车充电桩等存在瞬态高压冲击的场合；

低振铃特性：减少EMI滤波器设计复杂度，加快产品上市周期；

全面封装选项：涵盖TO-247、TO-220、QDPAK等多种封装形式，适配广泛的应用平台；

完整的产品组合：包括IPW、IPT、IPDQ、IPZA等多个型号，便于工程师根据功率密度、散热方式和成本进行灵活选型。

应用领域广泛覆盖

CoolMOS™ 8系列适用于以下典型高压高功率应用：

数据中心与UPS系统：高效服务器电源、不间断电源；

通信设备电源：满足277V AC输入要求；

固态继电器/断路器：利用其优异的反向恢复特性和高耐用性；

电动汽车充电系统：支持更高输入电压和更严苛的浪涌保护需求；

工业SMPS：高频开关电源、逆变器、伺服驱动器等。

CoolMOS™ 8系列可选型号

IPDQ65R008CM8

IPDQ65R018CM8

IPT65R018CM8

IPT65R025CM8

IPT65R040CM8

IPW65R018CM8

IPW65R025CM8

IPW65R040CM8

IPW65R060CM8

IPZA65R018CM8

IPZA65R025CM8

IPZA65R040CM

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