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近日，英飞凌宣布推出采用D2PAK-7（TO-263-7）封装的第二代CoolSiC™ 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET产品线，涵盖从7mΩ到75mΩ共10款型号，进一步丰富其在中功率应用中的器件选择。该系列产品基于第一代CoolSiC技术优化升级，在性能与可靠性方面实现多项突破。凭借优异的品质因数（FOMs）、业界领先的导通电阻RDS(on) 和高抗误开启能力，G2系列适用于包括AC-DC、DC-DC和DC-AC在内的多种功率拓扑结构，可广泛应用于储能系统、电动汽车充电、光伏逆变器及工业电源等领域。买到真正的英飞凌原装货 - 来自全球授权的Infineon代理商、原厂货源 - 深圳市中芯巨能电子有限公司为您介绍该系列：产品特点、可选型号及应用领域。
宽泛驱动电压范围：支持单极性驱动（VGS(off)=0），简化栅极驱动设计；
低导通损耗：提供7mΩ至75mΩ多档RDS(on)选项，满足不同效率与成本需求；
增强型可靠性：引入先进的.XT扩散焊接技术，提升热稳定性和长期耐久性；
高效散热设计：D2PAK-7封装具备优良的热管理能力，有助于实现无风扇或免散热器设计；
兼容性强：引脚与现有主流供应商器件兼容，便于客户快速导入并优化BOM成本。
此次推出的G2系列包含以下关键型号：
IMBG65R010M2HXTMA1（10mΩ）
IMBG65R026M2HXTMA1（26mΩ）
IMBG65R033M2HXTMA1（33mΩ）
IMBG65R060M2HXTMA1（60mΩ）
如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
随着新能源、电动车和智能电网的快速发展，市场对高效、紧凑、可靠的功率器件需求持续上升。英飞凌全新CoolSiC™ 650V G2系列不仅延续了SiC技术在开关损耗和热性能方面的优势，更通过D2PAK-7封装形式提升了易用性和集成度，为工程师提供了更具性价比的设计路径。
此外，该系列产品已实现与现有生态系统的全面兼容，支持用户快速完成方案迭代与量产部署，适用于：
单相组串式光伏逆变器
储能系统（ESS）
电动汽车充电桩
高效服务器/通信电源
固态断路器等新兴应用
英飞凌CoolSiC™ 650V G2系列的推出，标志着其在碳化硅功率器件领域的又一次重要升级。通过先进封装工艺、优化电气性能与广泛的适用性，该系列产品将为下一代高效能电力电子系统提供坚实支撑，加速推动清洁能源和电动化转型进程。
近日，英飞凌推出全新基于CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的3L-ANPC拓扑虚拟评估板（EVAL_10KW_3LANPC_SIC），为工程师和研究人员提供了一套完整的三电平逆变器系统设计参考。该方案采用先进的碳化硅功率器件与优化的PCB布局，面向工业电机驱动、光伏组串逆变器等高效率、高功率密度应用场景...【详情+】
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