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近日，国内功率半导体领军企业扬杰科技正式推出全新N60V系列SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽）结构MOSFET产品:YJT2D0G06H和YJB2D3G06H。该系列产品基于工艺与结构的双重优化，在导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）及抗冲击能力等方面实现显著提升，特别适用于对效率和功率密度要求严苛的清洁能源与工业电力电子系统。
随着新能源产业的快速发展，功率器件在光伏逆变、储能系统、电池管理系统（BMS）以及DC-DC转换器等应用中扮演着越来越关键的角色。传统MOSFET在高频开关过程中往往面临较大的导通损耗与开关损耗，影响整体系统效率与热管理设计。扬杰科技此次推出的N60V系列MOSFET正是针对这些痛点进行技术突破。
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优化SGT工艺，降低损耗
N60V系列采用先进的SGT结构，有效抑制短沟道效应，并通过内部电场优化大幅降低导通电阻Rdson和栅极电荷Qg。这一改进不仅显著减小了导通损耗和开关损耗，也提升了器件在高频工况下的能效表现。
高耐温能力，增强稳定性
该系列产品支持高达175℃的工作温度，并具备优异的散热性能，在持续高负载运行下仍能保持较低的温升水平，从而提升系统长期运行的稳定性和可靠性。
多种大功率封装，适配广泛应用场景
N60V系列提供TOLL、TO-263等多种主流大功率封装形式，具备良好的PCB兼容性，尤其适合用于需要高电流承载能力和良好散热条件的大功率应用，如BMS主控开关、储能系统的双向DC-DC变换器以及光伏微型逆变器等。
强化EAS能力，提升可靠性
针对工控与能源类设备复杂多变的运行环境，扬杰科技对产品的雪崩能量吸收能力（EAS）进行了专项优化，使其在突发过压、浪涌电流等极端条件下仍能保持稳定工作，进一步提高产品在实际应用中的耐用性与安全性。
N60V系列SGT MOSFET已在多个清洁能源领域展开应用验证，涵盖：
电池管理系统（BMS）：满足高精度充放电控制需求；
光伏微逆系统：提升低光照条件下的能量转化效率；
储能电源系统：支持高效双向DC-DC变换；
工业电源与服务器电源：为高密度、高效率供电架构提供核心器件支撑。
扬杰科技表示，未来将持续深耕功率半导体核心技术，围绕“碳达峰、碳中和”战略目标，加速推进高性能功率器件在新能源领域的落地应用，助力构建更加智能、高效、绿色的能源生态系统。
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