意法半导体推出高集成度STGAP4S：助力电动汽车电驱系统安全高效

意法半导体（ST）近期发布了其最新的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器——STGAP4S，该驱动器凭借其卓越的灵活性、丰富的诊断功能以及高度集成的设计，成为设计可扩展电动汽车电驱系统的理想选择。STGAP4S不仅通过了ISO 26262 ASIL D认证，还集成了模数转换器（ADC）与反激式电源控制器，确保了系统的高效性和安全性。代理销售意法半导体旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍STGAP4S产品优势及量产情况。如需STGAP4S产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

灵活控制，适应多功率等级

STGAP4S的独特之处在于其输出电路设计，允许工程师通过连接外部MOSFET的推挽式缓冲电路来调整栅极电流，从而实现对不同额定功率逆变器的精确控制。这种架构使得即使是小尺寸的MOSFET也能产生高达几十安培的栅极驱动电流，并能处理高达1200V的电压。因此，无论是低功率还是高功率应用，甚至是包含多个并联功率开关管的复杂设计，STGAP4S都能胜任。

先进诊断与安全保护

在电动汽车等对安全性要求极高的应用场景中，STGAP4S提供了全面的安全保护措施。它内置了自检功能，能够验证连接的完整性、栅极驱动电压以及内部电路的工作状态。此外，还包括去饱和检测、过流检测等功能，确保系统符合严格的ISO 26262 ASIL-D标准。所有这些诊断信息都可以通过SPI接口读取，或者利用两个硬件诊断引脚直接获取故障状态信号。

为了进一步增强系统的可靠性，STGAP4S还配备了主动米勒箝位、欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、过热检测等多种保护机制。用户可以通过SPI端口灵活配置诸如保护阈值、死区时间及去毛刺滤波等关键参数，以满足特定应用需求。

高效能源管理与集成化设计

STGAP4S的一大亮点是其内置的反激电源控制器，这不仅为高压侧电路供电生成正负栅极驱动电压，还显著提高了SiC MOSFET的开关速度和整体能效。此外，该驱动器具备6.4kV的电气隔离能力，确保了高低压侧之间的电气隔离，提升了系统的稳定性和安全性。

开发支持与评估工具

为了让开发者更便捷地进行产品评估和原型开发，意法半导体推出了EVALSTGAP4S评估板，该板载有两个STGAP4S驱动器，非常适合用于半桥应用的功能测试。更重要的是，这款评估板支持多块板卡互联，便于构建如三相逆变器等更为复杂的拓扑结构，极大地简化了开发流程。

结语

随着电动汽车市场的迅速发展，对高效、可靠且具备高度安全性的电驱系统的需求日益增长。STGAP4S凭借其出色的性能表现、灵活的设计选项以及全面的安全保障措施，无疑将成为下一代电动汽车电驱系统设计中的重要组件。目前，STGAP4S已正式投入量产，采用SO-36W宽体封装形式，为全球设计师提供了强有力的支持。对于那些寻求在竞争激烈的电动汽车市场中脱颖而出的企业而言，STGAP4S无疑是提升产品竞争力的理想选择。