意法半导体推出GaN栅极驱动器STDRIVEG610/611，赋能高效电源与电机控制设计

意法半导体（STMicroelectronics）近日推出两款新型高压GaN半桥栅极驱动器——STDRIVEG610与STDRIVEG611，专为提升电源转换和电机控制应用的能效、功率密度及系统鲁棒性而设计。这两款器件不仅集成了丰富的保护功能，还提供灵活的控制选项，助力开发者在消费电子与工业设备中实现更高性能的功率系统设计。代理销售意法半导体旗下系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍STDRIVEG610与STDRIVEG611产品优势。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

随着氮化镓（GaN）功率器件在高效率、高频开关应用中的广泛应用，对高性能栅极驱动方案的需求日益增长。STDRIVEG610和STDRIVEG611正是针对这一趋势推出的产品，分别面向软开关电源拓扑和硬开关电机控制场景，满足多样化设计需求。

面向软开关拓扑的精准控制：STDRIVEG610

STDRIVEG610适用于LLC、ACF等软开关电源架构，其核心优势在于300ns级启动时间响应能力，可确保在突发模式下精确控制功率管的关断周期，从而提升轻载效率与动态响应速度。该特性使其特别适合用于电源适配器、快速充电器以及功率因数校正（PFC）电路的设计。

此外，该器件内置互锁机制以防止交叉导通，并集成欠压锁定（UVLO）和过热保护功能，有效增强系统运行的安全性和稳定性。

专注电机控制的高可靠性：STDRIVEG611

STDRIVEG611则聚焦于电机控制领域，如家用电器、电泵、压缩机、伺服电机及工厂自动化设备中的硬开关应用场景。相比STDRIVEG610，它进一步增强了安全保护功能，包括高边UVLO保护和智能过流关断机制，可在异常工况下迅速切断驱动信号，避免损坏GaN功率器件。

同时，该器件支持高达±200V/ns的dV/dt抗扰度，适应复杂电磁环境下的稳定运行。

共性优势：集成化与易用性

两款驱动器均采用紧凑型4mm x 5mm QFN封装，节省PCB空间，并具备以下共性亮点：

集成自举二极管，简化外围电路；

内置传输延迟小于10ns的6V线性稳压器，支持高边驱动；

独立吸电流（2.4A/1.2Ω）与拉电流（1.0A/3.7Ω）路径，提升驱动能力；

支持3.3V至20V输入电压范围，兼容多种控制器接口；

提供待机引脚，在非工作状态下降低功耗；

双电源地引脚支持开尔文源连接或分流电阻监测，提高测量精度。

凭借高度集成的架构和丰富的保护机制，STDRIVEG610和STDRIVEG611不仅能显著降低物料清单（BOM）成本，还能加快产品开发进程，缩短上市时间。

展望未来应用方向

随着GaN技术在高功率密度、高频电源及高效电机控制系统中的加速普及，意法半导体此次推出的两款栅极驱动器将为工程师提供更灵活、更可靠的解决方案。无论是在消费类快充产品还是工业自动化设备中，STDRIVEG610与STDRIVEG611都展现出强大的应用潜力，有望推动下一代高效电力电子系统的落地与演进。