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英飞凌科技近日发布了一款采用顶部散热QDPAK封装的CoolSiC™ 1200V G2碳化硅（SiC）MOSFET半桥产品，旨在满足工业驱动、电动汽车充电基础设施、太阳能逆变器及不间断电源（UPS）等高功率应用场景的需求。该系列产品在性能、热管理与系统集成方面实现了多项技术突破。
英飞凌此次推出的四款型号分别为：IMSQ120R012M2HH、IMSQ120R026M2HH、IMSQ120R040M2HH 和 IMSQ120R053M2HH，均基于英飞凌领先的第二代CoolSiC™ MOSFET技术打造，具备出色的开关性能和优异的品质因数（FOM），可显著提升系统效率并降低整体损耗。
优化热设计，提升系统集成能力
QDPAK是一种表面贴装（SMD）顶部散热封装形式，相较于传统的底部散热方案，其最大的优势在于简化了PCB布局，并有效降低了寄生电感的影响。这种封装方式不仅提升了散热效率，还增强了器件在高功率密度应用中的可靠性。
此外，顶部散热结构更易于实现自动化装配流程，减少了人工干预，有助于降低制造成本。同时，得益于材料CTI（相比漏电起痕指数）超过600、爬电距离大于4.8mm的设计标准，该系列器件在高湿环境下的稳定性和安全性也得到了保障。
增强保护机制，提升系统鲁棒性
为确保在复杂工况下的运行安全，该系列产品集成了多项保护功能，包括雪崩保护、短路保护以及防止寄生导通的PTO（Parasitic Turn-On）保护，进一步提升了系统的鲁棒性与长期稳定性。
在电气性能方面，该系列产品支持高达950V的有效电压工作，适用于污染等级2的工业环境，具备广泛的适用性与兼容性。
面向未来的高性价比解决方案
凭借其低RDS(on)、高功率密度和优异的热管理能力，这些SiC MOSFET半桥模块不仅能显著改善系统能效，还可帮助客户降低总体拥有成本（TCO）或物料清单（BOM）成本，是高性能电力电子系统设计的理想选择。
英飞凌表示，随着工业自动化、绿色能源和电动汽车市场的快速发展，对高效、可靠、紧凑型功率器件的需求将持续增长。该系列产品的推出，将进一步巩固英飞凌在宽禁带半导体领域的领导地位，助力客户加速创新应用落地。
注：我司是代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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近日，英飞凌科技推出全新750V CoolSiC™ 碳化硅（SiC）MOSFET分立器件，涵盖车规级与工业级产品，导通电阻范围从7mΩ至140mΩ，全面满足车载充电、新能源系统及AI服务器电源等高可靠性、高效率应用场景的需求。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍英飞凌750V CoolSiC...【详情+】
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