英飞凌推出750V CoolSiC™ MOSFET，赋能高功率密度应用

近日，英飞凌科技推出全新750V CoolSiC™ 碳化硅（SiC）MOSFET分立器件，涵盖车规级与工业级产品，导通电阻范围从7mΩ至140mΩ，全面满足车载充电、新能源系统及AI服务器电源等高可靠性、高效率应用场景的需求。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍英飞凌750V CoolSiC™ MOSFET产品优势及可选型号。

面向硬开关拓扑优化设计，性能领先

英飞凌750V CoolSiC™ MOSFET采用成熟且可靠的栅极氧化层技术，具备业界领先的抗寄生导通能力，在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等高频硬开关拓扑中表现出色。第二代产品在原有基础上进一步优化输出电容（Coss），使其更适用于Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等软开关架构，并支持更高频率的开关操作，显著提升系统能效与动态响应能力。

关键参数优化，实现高效低损运行

该系列产品在多个关键性能指标上表现优异：

RDS(on) × Qfr：优化导通损耗与反向恢复电荷之间的平衡；

RDS(on) × Qoss / RDS(on) × QG：降低开关损耗，提高系统效率；

低Crss/Ciss比值与高VGS(th)：增强器件抗干扰能力，提升工作稳定性；

集成驱动源引脚与开尔文源极封装：有效降低栅极震荡，提升开关速度控制精度；

专有裸片接合技术：提升热传导效率与机械可靠性。

多种封装形式适配复杂应用需求

CoolSiC™ 750V MOSFET提供插件与贴片等多种封装选项，其中Q-DPAK顶部散热封装尤其适合对热管理要求严苛的应用场景。其顶部散热（TSC）结构可将芯片热量直接通过封装顶部传导至外部散热器，不仅改善热性能，还能简化PCB布局与制造流程，助力实现更高的功率密度与系统集成度。

所有车规级型号均符合AEC-Q101认证标准，工业级产品则通过JEDEC认证，确保在严苛工况下的长期稳定运行。

应用广泛，覆盖汽车、能源与数据中心领域

凭借出色的电气性能与热管理能力，750V CoolSiC™ MOSFET广泛适用于以下高价值应用：

车载充电器（OBC）

DC-DC转换器与DC-AC逆变器

太阳能并网逆变器

电动汽车充电桩

AI服务器电源模块

此外，英飞凌与奥地利硅实验室（Silicon Austria Labs）联合开发的“Tiny Power Box”项目也采用了全CoolSiC解决方案，成功打造出一款紧凑型单相7kW车载充电器，充分展示了该系列器件在小型化与高功率密度设计中的优势。

型号丰富，支持多样化选型

目前该系列已推出多款标准型号，包括但不限于：

AIMDQ75R016M2H

IMDQ75R004M2HN

AIMZA75R040M1H

IMZA75R008M1H

如需获取详细规格书、样品测试或BOM配单服务，欢迎客服微信：13310830171。

随着全球对高能效、高功率密度电力电子系统的需求持续增长，英飞凌750V CoolSiC™ MOSFET的推出，无疑为汽车电动化、绿色能源与人工智能基础设施建设提供了强有力的器件支持。