Littelfuse发布IXD2012NTR栅极驱动器，革新高频电源应用

来源：Littelfuse| 发布日期：2025-05-13 09:43:14 浏览量：

在今日的技术创新浪潮中，Littelfuse推出了其最新的高压侧和低压侧栅极驱动芯片——IXD2012NTR，标志着向更加高效、紧凑的电源管理解决方案迈进的重要一步。这款专为驱动半桥配置中的N沟道MOSFET或IGBT设计的产品，不仅优化了高频电源应用的操作体验，还显著提升了设计灵活性。

IXD2012NTR能够在10V至20V的广泛电压范围内稳定工作，并支持高达200V的高压侧开关操作。该器件的逻辑输入兼容低至3.3V的标准TTL和CMOS电平，确保与多种控制设备无缝集成，简化系统设计过程。IXD2012NTR提供1.9A拉电流和2.3A灌电流输出能力，使其成为高速开关应用的理想选择，极大地提高了系统的响应速度和效率。

值得一提的是，IXD2012NTR内置交叉传导保护逻辑，有效避免了高压侧和低压侧输出的同时开启，降低了功率损耗并简化了电路设计。此外，采用紧凑型SOIC(N)-8封装的IXD2012NTR可在-40℃到+125℃的工作温度范围内提供可靠性能，适应各种恶劣环境条件下的应用需求。

Littelfuse半导体业务部集成电路事业部产品经理June Zhang表示：“IXD2012NTR作为我们产品组合中的新成员，能够直接替代市场上常用的行业标准栅极驱动设备，为客户提供了可靠的替代方案，满足严格的生产计划，同时展现出卓越的高速性能。”

IXD2012NTR的推出进一步丰富了Littelfuse的高压侧和低压侧栅极驱动器系列，适用于包括直流-直流转换器、交流-直流逆变器、电机控制器以及D类功率放大器在内的多种高频应用。不仅如此，这款驱动器还覆盖了多个市场领域，如一般工业和电气设备、家用电器、楼宇解决方案、储能、太阳能及电动工具等，展示了其广泛的适用性和市场潜力。

IXD2012NTR凭借其出色的性能、灵活性和可靠性，为工程师和技术人员提供了新的可能性，推动着电源管理技术的发展，同时也预示着未来更多创新产品的到来。对于追求高性能电源解决方案的企业而言，IXD2012NTR无疑是一个不可忽视的选择。如需IXD2012NTR产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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