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作为全球碳化硅（SiC）功率器件的领先厂商，英飞凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出全新的SiC沟槽型超结（Trench Super Junction，TSJ）技术。该技术融合了英飞凌在SiC沟槽栅结构和硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域多年积累的技术优势，标志着其在宽禁带半导体领域的又一次重大突破。
此次推出的首批产品为采用IDPAK封装的1200V SiC TSJ功率器件，专为汽车牵引逆变器应用设计。该系列产品基于英飞凌超过25年的功率半导体研发经验打造，在保持优异短路耐受能力的同时，将导通电阻与芯片面积乘积（Ron*A）降低了高达40%，从而显著提升功率密度，实现更紧凑、高效的系统设计。
英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer表示：“TSJ技术的引入进一步拓展了我们的CoolSiC™产品组合。沟槽栅与超结结构的结合，不仅提升了效率表现，也为高可靠性应用场景提供了更强的技术支撑。”
该器件支持最高800kW功率输出，并具备出色的电流承载能力——相比现有解决方案提升约25%。此外，得益于更低的导通损耗和开关损耗，新器件可有效降低整车或工业系统的能耗与散热需求，同时减少并联使用的需求，从而简化系统设计流程、降低整体成本。
在汽车应用中，这项技术有望助力主机厂开发出更高能效、更具成本优势的电动动力总成系统。现代汽车公司已率先成为TSJ技术的早期客户之一，计划将其应用于新一代电动汽车平台，以提升整车续航能力和系统集成度。
除汽车领域外，英飞凌还同步推出了适用于工业市场的多种封装形式，包括分立器件、模塑模块、框架封装模块以及裸晶圆等，全面覆盖从新能源汽车充电、光伏储能到轨道交通牵引系统等多样化场景。
目前，部分汽车客户已获得IDPAK封装1200V SiC TSJ器件样品，预计将在2027年实现大规模量产。随着全球对高效能、低能耗电力电子系统需求的增长，英飞凌凭借其领先的SiC TSJ技术，正加速推动电动汽车与工业设备向更高效率、更可持续的方向发展。
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