英飞凌CoolSiC™ JFET：下一代固态配电系统的核心

英飞凌科技股份公司通过扩展其碳化硅（SiC）产品线，推出了新型CoolSiC™ JFET系列，旨在推动下一代固态配电系统的进步。该系列产品以其极低的导通损耗、卓越的关断能力和高可靠性，成为先进固态保护与配电系统的理想选择。CoolSiC™ JFET不仅在短路和雪崩故障条件下表现出色，还具备精确的过压控制能力，使其在工业及汽车应用中实现了高效且可靠的性能表现。

技术突破与应用领域

CoolSiC™ JFET专为应对复杂的应用挑战而设计，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。这些应用场景对器件的导通电阻（RDS(ON)）有严格要求，而第一代CoolSiC™ JFET达到了业界领先的1.5mΩ（750V BDss）和2.3mΩ（1200V BDss），显著减少了导通损耗。优化后的沟道设计确保了JFET在极端条件下的高可靠性。

专家观点与技术亮点

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士强调，“市场需要更加智能、快速且可靠的配电系统，英飞凌将通过CoolSiC™ JFET满足这一日益增长的需求。”他指出，这项以应用为导向的技术不仅重新定义了SiC性能标准，也巩固了英飞凌在宽禁带半导体领域的领导地位。

CoolSiC™ JFET采用了Q-DPAK顶部散热封装，便于并联操作，并提供可扩展的电流处理能力，特别适合紧凑型高功率系统的设计需求。此外，基于先进的.XT互连技术和扩散焊接工艺，CoolSiC™ JFET有效降低了瞬态热阻抗，在脉冲与循环负载下展现了更高的可靠性。

设计集成与未来展望

为了适应严苛环境中的散热和机械挑战，CoolSiC™ JFET经过实际工况测试验证，并采用符合行业标准的Q-DPAK封装，支持快速无缝的设计集成。这使得工程师能够在设计阶段更灵活地考虑散热管理和机械结构问题，从而提高最终产品的可靠性和耐用性。

新型CoolSiC™ JFET系列的工程样品预计于2025年推出，并计划在2026年开始量产。届时，还将推出更多封装和模块选项，进一步丰富产品线。感兴趣的观众可以在纽伦堡PCIM Europe 2025展会期间参观英飞凌展台，了解CoolSiC™ JFET系列的最新进展和技术细节。

总之，随着CoolSiC™ JFET系列的推出，英飞凌再次展示了其在宽禁带半导体技术领域的创新能力。这款新产品不仅满足了当前市场对高性能、可靠性的需求，也为未来的电力电子设备提供了坚实的技术基础。无论是对于追求效率提升的工业用户，还是寻求增强安全性的汽车制造商而言，CoolSiC™ JFET无疑都是一项值得期待的技术革新。

注：我司是代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件，如需英飞凌产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。