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全球领先的半导体制造商 ROHM 推出了具有突破性的 30V耐压共源N沟道MOSFET 新品——AW2K21。这款产品以其仅 2.0mm×2.0mm 的微小封装尺寸和行业领先的 2.0mΩ（典型值） 低导通电阻，为快速充电设备带来了革命性的解决方案。代理销售ROHM旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍AW2K21产品优势及应用领域。如需AW2K21产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
AW2K21 基于ROHM独家研发的结构设计，不仅提高了器件集成度，还显著降低了单位芯片面积的导通电阻。通过在单个组件内集成双MOSFET的设计，使得只需一枚 AW2K21 即可满足双向供电电路所需的双向保护需求，大大简化了电路设计并节省了空间。
特别地，ROHM采用了WLCSP（晶圆级芯片规模封装）技术，将传统垂直沟槽MOS结构中的漏极引脚移到了器件表面，从而增加了内部芯片的比例，进一步减少了单位面积上的导通电阻。这不仅减少了功率损耗，还支持更大的电流流动，使 AW2K21 成为了实现大功率快速充电的理想选择。
以小型设备的双向供电电路为例，使用普通产品通常需要两枚 3.3mm×3.3mm 的元件，而采用 AW2K21 则只需要一枚 2.0mm×2.0mm 的元件即可完成同样的任务。这意味着安装面积可以减少约 81%，同时导通电阻也能降低约 33%。即使与同等尺寸的GaN HEMT相比，AW2K21 的导通电阻也降低了大约 50%，充分展示了其卓越的性能。
AW2K21 不仅适用于智能手机等需要快速充电功能的小型设备，在其他多个领域也有广泛应用潜力，包括：
VR眼镜
小型打印机
平板电脑
可穿戴设备
液晶显示器
笔记本电脑
掌上游戏机
无人机
特别是在负载开关应用中，作为单向保护MOSFET使用时，AW2K21 同样实现了业界最低的导通电阻，展现了其多功能性。
ROHM正致力于开发更小巧的 1.2mm×1.2mm 版本，继续推动电子产品的微型化和节能化进程。随着对环保和能源效率要求的不断提高，ROHM的目标是通过提供更加紧凑且高效的解决方案，帮助实现可持续发展的社会目标。
总之，AW2K21 是一款集成了创新技术和高性能指标的产品，它不仅解决了当前市场上对于高效率、小体积MOSFET的需求，同时也预示着未来电子产品朝着更加智能化、高效化的方向发展。对于追求极致性能和空间利用率的企业来说，AW2K21 提供了一个不可多得的选择。
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