罗姆三大元器件矩阵，构筑AI服务器全链路可靠防护体系

生成式AI技术高速迭代，大模型参数量持续扩容，推动AI服务器向超高功耗、高密度集成、高速数据传输方向快速演进。严苛的运行工况，对设备供电转换效率、信号传输稳定性、电路安全防护能力提出极致要求，元器件性能已成为保障算力设备持续稳定运行的核心关键。2026年，罗姆（ROHM）推出多款创新元器件，从功率转换、电路抗浪涌、高速信号保护三大核心维度，搭建AI服务器全链路安全防护体系，为新一代算力硬件保驾护航。

高效功率MOSFET：赋能电源小型化、低损耗升级

针对AI服务器及工业电源小型化、高能效的核心需求，罗姆升级推出R60xxXNx、R60xxWNx两大600V超级结MOSFET系列，新增DFN8080-5L、TOLL两款超薄贴片封装，凭借紧凑尺寸与优异散热性能，适配高密度电源架构设计。

两款系列产品精准适配不同应用场景，其中R60xxXNx包含21款高速开关型号，通用性极强；R60xxWNx搭载PrestoMOS™技术，11款型号具备行业顶尖的超高速反向恢复特性。产品栅极阈值电压适配主流3V~5V驱动区间，优化跨导参数，有效降低运行损耗。同时沿用通用焊盘布局，兼容传统电路设计，可直接替代存量器件，为设备迭代、供应链备选提供便捷方案。

高可靠贴片电阻：简化高密度设备热设计

高密度集成的AI服务器内部热源集中，常规电阻器件易受高温影响出现性能波动，加重整机热设计压力。罗姆全新SDR01系列抗浪涌贴片电阻，通过优化电阻本体与电极结构，在1005小尺寸封装下实现0.33W额定功率输出，可直接替代更大规格器件，精简设备元器件数量、缩减PCB占用空间。

该产品可在125℃额定引脚高温环境下稳定输出额定功率，适配算力设备高温、高密的严苛工况。同时实现±100ppm/℃的低温漂特性，有效抑制温度波动引发的阻值偏移，保障电源及接口电路长期稳定运行，大幅提升整机可靠性。

超低容值ESD二极管：守护高速信号传输完整性

AI服务器搭载万兆级高速通信接口，ESD防护器件的容值、动态电阻会直接影响信号传输质量。罗姆RESDxVx系列ESD保护二极管打破器件性能权衡瓶颈，实现超低容值与低动态电阻双重优势，双向、单向引脚电容分别低至0.24pF、0.48pF，动态电阻仅0.28Ω。

相较于常规产品，该系列钳位电压降低40%，静电防护能力大幅提升，可有效规避高速信号劣化、芯片损坏等问题，完美适配AI服务器、5G/6G通信设备等高速数据传输场景，保障高频信号无损传输。

全链路产品组合，筑牢算力设备运行根基

从低损耗功率转换、高温抗浪涌电路防护，到高速信号静电保护，罗姆三大系列元器件形成互补协同的完整解决方案，精准解决AI服务器高功耗、高集成、高速度工况下的电气稳定性难题。目前，罗姆同步发布下一代800VDC架构电源解决方案白皮书，为行业高端算力设备研发提供专业技术参考。未来，罗姆将持续深耕算力硬件核心元器件领域，以精细化技术创新，为AI算力基础设施稳定高效运行筑牢核心壁垒。

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