Vishay 五款产品入围 WEAA 2026，多赛道彰显器件创新实力

由 AspenCore 发起的 2026 年度全球电子成就奖（WEAA）评选正在进行。作为电子产业极具含金量的权威评选，该奖项聚焦全球创新成果，表彰推动行业技术演进的企业与产品。本年度 Vishay 共有五款器件成功入围，覆盖传感器、高性能无源分立器件、功率半导体三大赛道，全方位展现其在无源元件、光传感与宽禁带功率器件领域的技术积累。

年度传感器产品：两款环境光传感器入围

VEMD4210FX02、VEMD5525FX02 两款环境光传感器入选年度传感器产品提名。这类器件可精准感知环境光照强度，能够根据外界亮度自动调节屏幕背光，广泛用于车载座舱、工业面板、消费类智能终端。凭借稳定的检测精度与优异的环境适应性，可满足车载与工业场景严苛的可靠性要求，为终端设备带来更智能的调光交互体验。

年度高性能无源 / 分立器件，三款产品齐上榜

在高性能无源及分立器件赛道，Vishay 共有三款产品入围，覆盖安规电容、硅基功率 MOS 与快恢复整流器。 SMDY1 汽车级陶瓷安规电容，属于交流线路额定陶瓷片式安规电容器，面向汽车电子场景设计，满足车规可靠性标准，可用于车载电源滤波、EMI 抑制，保障车载电气系统稳定运行。 SiEH4800EW 为 80V TrenchFET® 第四代 N 沟道功率 MOSFET，依托沟槽工艺优化导通损耗与开关特性，适合各类电源转换、电机驱动等功率电路。 SMPC HV 封装第七代 1200V FRED Pt® 超高速恢复整流器，具备反向恢复速度快、反向损耗低的特点，在高压电源、工业逆变设备中，能够降低开关损耗，提升整机转换效率。

年度功率半导体 / 驱动器产品：SiC 功率模块入围

VS-MPY038P120、VS-MPX075P120 两款 1200V 碳化硅 MOSFET 功率模块，入围年度功率半导体 / 驱动器产品奖项。作为宽禁带功率器件，SiC 模块拥有低导通损耗、高频耐受、耐高温等优势，适配储能逆变器、充电桩、工业大功率电源等高电压、高功率场景，助力电源系统提升功率密度，缩减散热设计压力。

产品矩阵价值小结

本次五款产品同时入围三大不同类别奖项，体现 Vishay 覆盖无源器件、光传感器、硅基功率器件、碳化硅模块的完整产品布局。从消费、工业到汽车电子，从无源基础元件到第三代半导体功率模块，多线产品同步迭代，持续为电源、传感、车载等系统提供可靠器件方案。 WEAA 的入围是行业对产品创新能力的认可，Vishay 将持续深耕分立与无源器件赛道，面向新能源、汽车电子、工业自动化等热门领域推出高性能元器件，助力电子整机厂商实现系统性能升级。

如需产品规格书、样片测试、采购、原厂生产排单等需求，请加客服微信：13310830171。深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售Vishay旗下全系列IC电子元器件，常备Vishay现货库存，原厂货源，保证原厂原装正品，一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。