英飞凌第二代750V CoolSiC™ MOSFET G2：赋能AI服务器与高端功率变换系统

随着AI算力集群、新能源汽车、光伏储能等高功率场景快速迭代，高端功率变换系统对器件能效、开关速度、功率密度与长期可靠性提出严苛要求。传统硅基器件与初代碳化硅产品逐渐难以适配高频、高过载、高稳定的工况需求。为此，英飞凌推出第二代750V CoolSiC™ MOSFET G2系列，依托升级碳化硅沟槽工艺与优化器件架构，实现损耗、散热、鲁棒性全方位进阶，成为AI服务器电源、车载电装、工业高端功率设备的优选功率器件。

第二代750V CoolSiC™ G2系列完成完整产品矩阵布局，覆盖IMBG、IMDQ、IMZA三大系列，导通电阻覆盖7mΩ~60mΩ全梯度档位，型号布局齐全，可精准适配高低功率差异化设计需求，全面匹配轻量化电源、大功率工业变换、车载高压系统等多元场景，为不同层级产品迭代提供标准化器件选型。完整产品型号如下：

IMBG系列：IMBG75R007M2H、IMBG75R011M2H、IMBG75R016M2H、IMBG75R020M2H、IMBG75R025M2H、IMBG75R033M2H、IMBG75R040M2H、IMBG75R050M2H、IMBG75R060M2H

IMDQ系列：IMDQ75R011M2H、IMDQ75R020M2H、IMDQ75R033M2H、IMDQ75R040M2H、IMDQ75R050M2H

IMZA系列：IMZA75R007M2H、IMZA75R011M2H、IMZA75R016M2H、IMZA75R020M2H、IMZA75R025M2H、IMZA75R033M2H、IMZA75R040M2H、IMZA75R050M2H、IMZA75R060M2H

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多重硬核特性，重构功率器件性能上限

该系列器件搭载多项进阶优化设计，核心品质因数实现大幅跃升。依托英飞凌成熟碳化硅工艺，产品通过100%雪崩测试，具备极强的工况容错能力。凭借优化电容与导通特性，器件斩获业界领先的多重FOM品质因数表现，包含优异的Rds(on)×Qfr、Rds(on)×Qoss与Rds(on)×QG指标，全方位降低导通与开关损耗。独特的低Crss/Ciss比值搭配高阈值电压，可有效抑制高频工况下的寄生导通风险，提升系统运行稳定性。

在封装与散热层面，器件采用.XT改进型扩散焊工艺，搭配带独立驱动源极引脚的优化封装设计，大幅降低栅极驱动干扰，简化高频电路调试。同时通过JEDEC认证的顶部散热封装，适配高密度布局与高效散热方案，为系统小型化、高频化升级筑牢硬件基础。

全方位升级，打造差异化竞争优势

相较于上一代产品，750V CoolSiC™ G2综合性能实现20%~35%的FOM提升，能效优势显著。器件拓展负栅极驱动电压范围至-7V~-11V，设计裕度更大，适配各类主流栅极驱动架构，降低方案兼容成本。工作结温最高可达200℃，耐高温、抗过载能力大幅增强，可从容应对光伏低电压穿越、UPS短路冲击、充电桩电网波动等极端工况。同时高VGS(th)搭配低电容特性，支持0V可靠关断，彻底规避高频工作误导通问题，大幅提升系统安全冗余。

全域场景落地，覆盖工商业高端功率赛道

依托高效、高频、高可靠、强散热的综合优势，该系列器件适配多领域高端功率变换场景。算力领域可用于AI服务器PSU、电信基站AC-DC电源，支撑高算力设备低损耗、高密度供电；新能源领域覆盖光伏发电、储能系统、充电桩设备，提升新能源变换效率。车载场景完美适配车载OBC、高低压DC-DC变换器、高压电池保护开关等核心电装部件。此外，器件可广泛应用于固态断路器、固态继电器、UPS、电池化成设备、高低压低频开关等工业场景，全面赋能下一代高性能功率变换系统升级。