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意法半导体近日对STGAP3S隔离栅极驱动器系列完成产品矩阵补全，新增两款3A驱动能力新品STGAP3S3S与STGAP3S3IF，分别针对碳化硅MOSFET与IGBT两类功率开关完成参数适配，补齐了此前该系列仅覆盖6A、10A驱动档位的空白，可适配中小功率拓扑的驱动需求。
STGAP3S系列整体采用加强型电隔离架构，支持最高1200V母线电压工作，已通过UL 1577、IEC 60747-17两项国际安全与绝缘认证，可耐受9.6kV瞬态浪涌冲击，共模瞬态抗扰度达到200V/ns，可适配高压工况下的长期可靠运行需求。
此次推出的STGAP3S3系列主打中小功率场景的性价比适配，核心亮点是内置主动米勒钳位功能，集成钳位MOSFET可直接抑制功率开关的寄生感应导通，规避桥臂直通风险，无需额外配置外部钳位器件即可在3A栅极驱动条件下实现稳定钳位，可有效缩减PCB占板面积与物料成本。
该系列同时支持负栅极电压输出，可进一步强化误导通抑制能力，在故障关断阶段保护功率器件，同时保证正常关断过程的开关稳定性，规避输出振铃问题。
STGAP3S全系列均集成去饱和检测与软关断功能，可在过载、短路等异常工况下实现功率开关的受控关断，规避硬关断带来的电压尖峰冲击。其中6A、10A版本以及面向SiC MOSFET的3A新品，均支持外接电阻调节软关断速度，可适配不同功率拓扑的关断时序优化需求。
所有器件均配置独立诊断引脚，可实时反馈去饱和保护、欠压锁定、过热关断三类保护功能的触发状态，便于系统级故障定位与运维排查。
全系列器件均采用SO16W宽体封装，满足加强绝缘的爬电距离要求，目前全型号均已实现量产。意法半导体同步推出EVLSTGAP3S3S、EVLSTGAP3S3IF两款半桥评估板，已预配置全套保护功能，板载测试点与诊断LED，可辅助工程师快速完成方案验证。
该系列可广泛适配充电站、储能系统、光伏逆变器、工业电动车、感应加热设备，以及泵、风机等通用驱动场景，覆盖PFC、DC/DC转换器、逆变器等主流功率拓扑。
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