800V超充产业加速迭代：士兰微SiC全栈方案赋能能效升级

来源：士兰微| 发布日期：2026-08-21 16:00:01 浏览量：

近日，第九届中国数字电源关键元器件应用创新峰会（华东站）于苏州圆满落幕。本次峰会以“核心智变·能效跃迁”为核心主题，围绕AI算力电源、光储器件、800V高压超充与第三代半导体技术设立三大专题论坛，汇聚产业链上下游资源，聚焦数字电源领域技术革新与商业化落地趋势。国内功率半导体IDM龙头士兰微电子受邀参会，针对800V高压超充产业发展痛点，分享SiC全栈技术布局与系统级解决方案。

在同期举办的800V超充与三代半技术研讨会上，士兰微电子器件成品市场部庄经理发表专题演讲，深度剖析800V车型普及背景下超充产业的增长逻辑与技术变革方向。随着车企高压平台技术快速下放，适配800V车型、功率250kW以上的液冷超充桩成为补能体系升级的核心方向，高压、大功率化的行业趋势，让SiC第三代功率器件成为超充赛道规模化增长的核心刚需器件。

行业能效新规的落地，进一步加速了SiC器件的替代进程。2025年11月充电桩能效国标即将正式实施，设备一级能效加权效率门槛提升至96.5%，倒逼主流充电模块效率突破97%。在此背景下，SiC MOSFET彻底摆脱高端选配定位，成为行业标配核心器件。与此同时，光伏、储能、超充全场景电压等级持续升级，整机厂商的采购逻辑也从单一器件选型，转向整体系统解决方案配套，对半导体厂商的综合服务能力提出更高要求。

针对行业全新需求，士兰微电子依托成熟的IDM产业模式，打造多维度技术矩阵精准匹配市场迭代趋势。在产品布局上，企业构建650V至1500V全覆盖SiC器件产品体系，全面适配户用光伏、工商业储能、高压超充等全场景应用，可帮助终端设备轻松达标一级能效，同时优化设备体积与综合成本。依托全新量产的1400V IGBT平台，企业可助力客户完成高压母线架构升级，完美适配800V超充主流技术方案。

区别于纯器件厂商，士兰微可提供拓扑优化、驱动适配、热管理调试等端到端系统级技术支持。目前公司已建成650V-2300V宽电压SiC MOS产品矩阵，器件批量交付能力稳定，全面覆盖车载OBC、高压超充、光伏储能等核心场景。依托5/6/8/12英寸满产产线与厦门新建8英寸SiC产线，企业年产规模可达42万片，SiC业务正式进入放量增长阶段，当前新能源乘用车功率模块装机量稳居国内前三。

面向产业未来，士兰微精准锁定三大核心技术赛道。AI算力高压直流电源、高渗透超充光储方案、商业化固态变压器技术，将成为行业下一阶段增长核心。未来企业将以硅基功率器件、第三代半导体、高端模拟芯片为技术主线，依托SiC与AI电源双引擎布局，持续赋能算力基建、高压超充、新型储能产业高效迭代，助力电力电子产业实现能效跃迁。

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