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近期，常州银河世纪微电子联合复旦大学成功举办碳化硅MOSFET新品发布会，正式推出三款自研1200V高压SiC功率器件。本次新品是双方历经三年深度产学研协同攻关的标志性成果，围绕SiC封装架构、核心工艺优化、可靠性验证及产业化落地完成全链条技术突破，实现从科研原型到量产产品的完整转化，为国产高压碳化硅器件高端化、规模化替代注入全新动能。
针对新能源车载、工业大功率设备、高频高密度电源等差异化市场需求，本次发布的三款1200V SiC MOSFET依托不同封装形态，构建分层适配的国产器件产品矩阵，精准匹配行业多元化应用场景。
其中TO-247-3L版本规格为1200V/76A/32mΩ，聚焦高功率、高稳定工况。研发团队通过重构芯片互连结构、迭代封装工艺、完成多轮建模与性能验证，综合性能对标国际主流高端产品，可稳定适配新能源汽车、工业大功率电源等高负荷应用场景。
同规格TO-247-4L器件搭载Kelvin源极隔离设计，有效割裂功率回路与驱动回路，大幅削弱寄生参数干扰，充分释放SiC器件高频高速开关的性能优势。该产品已通过第三方权威可靠性认证，具备成熟量产与商业化导入条件，可满足高端功率变换设备的高可靠国产化替代需求。
面向设备小型化、高频化发展趋势，QFN 8×8封装1200V/76A/40mΩ器件实现技术创新突破。产品采用无压银烧结先进封装技术，优化结构设计与热管理体系，大幅缩减设备体积，解决高密度集成散热难题，为高端轻量化功率设备、高密度贴片化应用提供全新解决方案。
三年联合攻坚期间，双方不止实现产品落地，更搭建起集技术研发、成果沉淀、人才培育、标准制定于一体的完整创新体系。目前车规级TO-247系列产品已完成产线调试，具备稳定量产能力。研发过程同步沉淀核心专利、学术论文与行业标准成果，实现技术创新与产业赋能双向落地。
同时，校企常态化技术交流、联合培训与需求对接机制，打通了高校科研资源与产业落地的壁垒。通过双向技术互通、项目联合攻关，有效衔接前沿理论研究与工业量产需求，为国内第三代半导体产业持续输送专业技术人才，夯实行业发展人才底座。
本次新品落地是银河微电与复旦大学产学研合作的重要里程碑，更是长期深度协同的全新起点。未来双方将持续深耕第三代半导体核心领域，持续完善成果转化、专利布局、标准搭建与人才培养一体化机制。依托双方技术与产业优势，持续丰富高压SiC器件产品矩阵、迭代封装与工艺技术、提升产业化能力，加速高端功率半导体国产化替代进程，助力国内SiC产业实现高质量自主可控发展。
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