SLG59H1341C：高性能nFET负载开关

SLG59H1341C 是瑞萨电子一款自供电、高集成度的 70mΩ nFET 高边负载开关，专为需要快速响应、低导通损耗和高可靠性的电源系统设计。瑞萨电子代理商-深圳市中芯巨能电子有限公司为您提供SLG59H1341C ：技术参数详解、引脚图、原理图及现货供应。

SLG59H1341C技术参数详解

核心功能与工作模式

SLG59H1341C 集成低 RDS(ON) 的 70mΩ nFET 开关，显著降低导通损耗，提升系统效率。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级环境要求。

反向电流保护机制

导通状态（ON）反向电压保护：当输出端电压高于输入端超过 50mV（VOUT > VIN + 50mV） 时，内部电路会迅速关断开关，防止反向电流流入电源端。该功能在多电源域系统或热插拔场景中至关重要，可有效避免电源倒灌导致的损坏。

关断状态（OFF）反向漏电流阻断：采用内部背对背（back-to-back）FET 结构，在关断状态下彻底阻断从输出到输入的漏电流路径，实现“真反向电流阻断”（True Reverse-Current Blocking），确保电源域之间的完全隔离。

可调限流与保护功能

器件支持电阻可调的主动电流限制，允许设计者通过外部电阻在 0.15A 至 1.5A 范围内设定限流阈值：

0.2A ~ 1.5A 范围内，限流精度为 ±10%

0.15A ~ 0.2A 范围内，精度为 ±15%

该功能可用于限制启动时的浪涌电流或防止下游电路过载，提升系统鲁棒性。

故障监测与保护

开漏 FLT 信号引脚：当发生过流、过温或输出过压（OVP）故障时，FLT 引脚被拉低，向主控MCU发出故障告警，便于系统进行故障处理或电源管理。

输出过压保护（OVP）：支持高达 28VDC 的绝对最大 VOUT 电压，防止因负载突变或外部电压耦合导致的输出端高压损坏。

过温保护（OTP）：当芯片结温超过安全阈值时，自动关断输出，待温度恢复后可自动重启或锁定，取决于外部配置。

欠压锁定（UVLO）：确保在输入电压未达到稳定工作范围前，开关保持关断状态，避免异常导通。

SLG59H1341C引脚图

SLG59H1341C 采用小型 WLCSP-8 (1.7mm x 1.4mm) 或 DFN-8 封装，节省PCB空间，适合高密度布局。符合工业级可靠性标准，适用于严苛环境下的长期运行。

SLG59H1341C原理图

SLG59H1341C典型应用场景

SLG59H1341C 特别适用于以下场景：

快速电源轨切换：支持快速开启与关断，适用于需要动态电源管理的系统，如传感器、无线模块（Wi-Fi/BT）的供电使能控制。

频繁唤醒与睡眠周期：在移动设备中，用于管理处理器子系统、显示屏背光或外设模块的电源域，在睡眠模式下彻底切断供电以降低静态功耗。

便携式与电池供电设备：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端，要求高效率、小尺寸和高可靠性。

SLG59H1341C设计建议

限流电阻选择：根据应用最大负载电流设定RSET，参考数据手册中的RSET vs. I_LIMIT曲线。

PCB布局：建议将输入/输出电容（推荐0.1μF至1μF）尽量靠近VIN和VOUT引脚，以降低环路电感，提高瞬态响应。

热管理：尽管RDS(ON)较低，但在高负载电流下仍需考虑PCB铜箔散热设计，确保结温在安全范围内。

FLT引脚上拉：建议使用10kΩ~100kΩ电阻将FLT引脚上拉至控制域电源，确保故障信号可靠读取。

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