IPD600N25N3G：60mΩ/250V OptiMOS™3 附引脚图

IPD600N25N3G是Infineon一款基于先进OptiMOS™3技术的N沟道功率MOSFET，采用PG-TO252-3（DPAK）封装。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，具备极低的导通电阻与栅极电荷，适用于服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动和同步整流等场景。来自全球授权Infineon代理商、原厂货源-深圳市中芯巨能电子有限公司为您提供IPD600N25N3G：技术参数详解、引脚图及现货。

IPD600N25N3G技术参数详解

关键静态参数

在VGS = 10V、ID = 25A、Tj = 25°C条件下，其漏源导通电阻RDS(on)最大值为60mΩ，典型值51mΩ，显著降低导通损耗。器件耐压V(BR)DSS为250V，支持25A连续漏极电流（TC=25°C），脉冲电流能力达100A。栅极阈值电压VGS(th)典型值为3V（范围2~4V），确保在10V驱动下完全导通。漏源击穿电压温度系数稳定，支持雪崩工作模式，单脉冲雪崩能量EAS达210mJ（ID=25A），具备较强的过压耐受能力。

动态与开关特性

IPD600N25N3G优化了栅极电荷与输出电容，实现高速开关。在VDD=100V、VGS=10V、ID=12A、RG=1.6Ω测试条件下：

总栅极电荷Qg典型值22nC，最大29nC，降低驱动损耗。

栅源电荷Qgs为8nC，栅漏电荷Qgd为2nC，有助于抑制米勒效应。

开关延迟与时间：开通延迟td(on)为10ns，上升时间tr为10ns，关断延迟td(off)为22ns，下降时间tf为8ns，支持数百kHz至MHz级开关频率。

输入电容Ciss典型值2350pF，输出电容Coss为134pF，反向传输电容Crss为3pF，减小开关过程中的dv/dt和di/dt应力。

反向二极管特性

集成体二极管支持连续正向电流IS=25A（TC=25°C），脉冲电流达100A。在VGS=0V、IF=25A、Tj=25°C条件下，正向压降VSD典型值0.9V，最大1.2V。反向恢复时间trr典型值114ns（VR=100V, IF=12A, diF/dt=100A/μs），反向恢复电荷Qrr为700nC，表现优于标准快恢复二极管，适用于需要体二极管参与换流的拓扑。

热与封装特性

采用DPAK封装，热阻RthJC（结到壳）为1.1K/W，确保高效散热。在最小焊盘PCB上，RthJA为75K/W；若提供6cm²铜箔散热区，RthJA可降至50K/W。器件最大功耗Ptot为136W（TC=25°C），支持-55°C至175°C的工作与存储温度范围，满足严苛工业环境需求。

IPD600N25N3G引脚图

IPD600N25N3G应用设计要点

驱动设计：建议使用低阻抗驱动电路，确保10V以上栅压快速充放电。因Qgd较小，需注意防止米勒平台误导通。

PCB布局：优化源极回路，减小寄生电感，降低开关振铃。建议使用4层板，大面积敷铜散热。

SOA考虑：结合结温、电压电流限制，确保工作点位于安全工作区内，尤其在硬开关条件下。

并联使用：低RDS(on)温度系数有利于并联均流，但需匹配栅极驱动路径。

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