英飞凌扩展CoolSiC 650V G2系列

英飞凌（Infineon） 近日宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET，新增 75 mΩ 规格型号，进一步满足市场对高功率密度、小型化电源系统的需求。此次扩展不仅增强了产品组合的灵活性，也为中高功率应用提供了更优的能效与热管理解决方案。

第二代技术升级，性能全面提升

CoolSiC™ 650 V G2 系列基于英飞凌第二代碳化硅（SiC）技术打造，相较前代产品在多个关键指标上实现优化：

更低的品质因数（FOM）：提升开关效率，降低导通与开关损耗；

更高的可靠性：增强器件在高温、高压工况下的长期稳定性；

更好的易用性：优化栅极驱动兼容性，降低系统设计门槛。

该系列特别适用于开关模式电源（SMPS），广泛应用于 AI服务器电源、可再生能源系统、电动汽车及充电桩、人形机器人充电系统、电视电源和工业驱动等高要求场景。

多封装支持，灵活适配散热架构

新推出的75 mΩ型号提供 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 和 TO247-4 六种封装选择，支持顶部冷却（Top-Side Cooling, TSC） 与底部冷却（Bottom-Side Cooling, BSC） 两种主流散热方案，为系统设计提供高度灵活性。

TOLL 与 ThinTOLL 8x8：具备优异的PCB热循环稳定性，适用于紧凑型设计。其低热阻特性有助于减少PCB空间占用，并在系统层面降低制造成本，特别适合高密度服务器电源和消费类电源应用。

TOLT 封装：作为英飞凌TSC产品组合的重要补充，TOLT支持直接顶部散热，散热效率高达 95%。该设计允许充分利用PCB正反两面布线，提升空间利用率，同时减少功率回路中的寄生电感，改善EMI性能。

目前，英飞凌的TSC产品线已覆盖 CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™ 和 OptiMOS™ 等多个技术平台，形成完整的高功率密度解决方案生态。

面向未来应用，赋能高增长领域

随着AI服务器、电动汽车和机器人等新兴市场的快速发展，对高效、小型化电源系统的需求持续攀升。CoolSiC™ 650 V G2 系列凭借其低损耗、高频率工作能力与优异的热性能，成为构建下一代电源架构的理想选择。

在 AI服务器电源 中，可支持更高功率密度的LLC或图腾柱PFC拓扑，提升能效；

在 电动汽车充电桩 中，有助于缩小系统体积，提升充电效率；

在 人形机器人充电系统 中，支持高效率、轻量化设计，延长续航与待机时间。

供货信息

目前，CoolSiC™ 650 V G2 系列 75 mΩ MOSFET 已正式量产并全面供货，支持上述所有封装类型，满足从研发验证到大规模量产的全周期需求。

总结

英飞凌通过此次产品扩展，进一步巩固了其在碳化硅功率器件领域的领先地位。CoolSiC™ 650 V G2 系列不仅在性能上实现突破，更通过多封装、双冷却架构的设计理念，为工程师提供了前所未有的设计自由度。随着碳化硅技术在高增长领域的加速渗透，该系列产品将成为推动电源系统向“更小、更快、更高效”演进的关键驱动力。

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