罗姆与英飞凌共建SiC封装生态

全球半导体两大巨头——日本罗姆（ROHM）与德国英飞凌（Infineon）近日宣布，双方已就碳化硅（SiC）功率器件封装技术合作签署备忘录，旨在建立互为“第二供应商”的战略协作机制。此次合作聚焦车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等高增长领域，将显著提升客户在产品设计与供应链管理中的灵活性与可靠性。

封装互认：提升设计自由度与供应韧性

根据协议，罗姆与英飞凌将互相采用对方的先进SiC封装平台，并确保产品引脚兼容。这意味着未来客户可从两家公司采购相同封装规格的SiC器件，实现无缝替换，降低单一供应商依赖风险，增强供应链韧性。

这一举措在当前全球半导体供应链持续面临不确定性的背景下尤为重要。通过建立“双源供应”机制，客户在面临产能紧张或交期波动时，可快速切换供应商，保障项目进度，同时在BOM管理与库存策略上获得更大灵活性。

技术互补：融合双方封装创新优势

此次合作深度融合了罗姆与英飞凌在功率封装领域的核心技术。

英飞凌的顶部散热平台（Top-Side Cooling, TSC） 将被罗姆采用。该平台涵盖TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK等多种封装形式，统一高度为2.3mm。标准化设计简化了散热系统开发，降低系统级成本，同时提升基板空间利用率。顶部散热结构可有效减少热阻，实现更均匀的温度分布，支持更高功率密度设计，部分应用中功率密度提升可达两倍。

与此同时，英飞凌将引入罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”。该封装采用创新设计，将两个TO-247器件集成于同一封装内，形成紧凑的半桥模块。相比传统分立式TO-247方案，DOT-247封装热阻降低约15%，寄生电感减少50%，显著改善开关性能与热管理效率。其功率密度达到传统TO-247的2.3倍，特别适用于高频率、高效率的功率转换场景。

英飞凌计划基于DOT-247封装开发新的SiC半桥解决方案，进一步丰富其Double TO-247 IGBT产品线，满足市场对高性能SiC模块日益增长的需求。

共推SiC普及，赋能低碳未来

SiC功率器件凭借其高开关频率、低导通损耗和优异的高温性能，已成为实现高效电力转换的核心技术。在电动汽车、可再生能源和AI数据中心等对能效和功率密度要求极高的应用中，SiC正加速替代传统硅基器件。

英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer表示：“我们很高兴与罗姆合作，加速SiC技术的普及。此次合作不仅为客户提供了更多选择，还将推动高能效低碳应用的创新。”

罗姆功率器件事业部负责人伊野和英强调：“这不仅是封装合作，更是解决方案生态的拓展。我们期待通过协同创新，降低系统设计复杂性，共同开拓功率电子的未来。”

未来展望：合作向宽禁带半导体延伸

双方计划将合作范围从当前的SiC器件扩展至更多封装类型，并探索在氮化镓（GaN）等宽禁带半导体领域的协作可能性。此举将进一步深化两家公司在功率电子领域的战略伙伴关系，为客户提供更全面、更灵活的解决方案组合。

结语

罗姆与英飞凌的此次合作，标志着功率半导体行业从“竞争”向“竞合”模式的重要演进。通过封装标准化与双源供应，两大巨头正在构建一个更开放、更稳健的SiC生态系统。这不仅将加速SiC技术在各行业的渗透，也为全球能源转型和碳中和目标提供了强有力的技术支撑。未来，随着合作深化，一个更加互联互通、高效可靠的功率电子新生态正在成型。