AOS半导体赋能NVIDIA 800V数据中心

在人工智能算力需求呈指数级增长的背景下，数据中心正迎来一场由供电架构驱动的深层变革。近日，知名功率半导体供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，纳斯达克代码：AOSL）宣布，其全线碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及电源IC解决方案，已全面支持NVIDIA最新发布的800V直流（800VDC）供电架构，为下一代AI数据中心提供高效、高密度的能源基石。

传统数据中心多采用48V或54V低压直流供电，面临转换效率低、铜缆损耗高、散热压力大等瓶颈。而NVIDIA推出的800VDC架构，通过将配电电压提升至800V，显著减少电流传输过程中的I²R损耗，降低对铜材的依赖，并简化电力转换层级。这一范式转变要求功率半导体具备更高的耐压能力、更低的导通与开关损耗，以及更强的热管理性能。

AOS凭借在宽禁带半导体领域的深厚积累，提供了覆盖全链路的功率解决方案。在高压交流到直流的初始转换环节，AOS的碳化硅MOSFET（如AOM020V120X3和顶部散热型AOGT020V120X2Q）凭借其1200V耐压、低Qg和低Rds(on)特性，适用于“边柜供电”（Sidecar）和“单极直接转换”（SST）两种创新拓扑，可将13.8kV交流电高效转换为800V直流，大幅提升系统整体能效。

在机柜内部，800V直流需进一步降压至GPU等AI芯片所需的12V或更低电压。AOS推出的650V和100V氮化镓器件（如AOGT035V65GA1和AOFG018V10GA1）凭借其超高的电子迁移率和开关频率，支持更高频率的DC-DC转换，从而缩小磁性元件和电容体积，实现更高的功率密度。这不仅释放了宝贵的机柜空间用于部署更多计算单元，也提升了散热效率。

此外，AOS的创新堆叠式MOSFET（如AOPL68801）和共封装GaN方案，为LLC谐振转换器次级侧和54V-12V母线转换提供了灵活的能效与成本平衡选择。其80V/100V堆叠封装技术显著提升了单位面积的功率输出能力。

针对多相降压需求，AOS还提供支持16相输出的高性能多相控制器，确保为AI SoC提供稳定、精准的供电，优化动态响应与能效表现。

据AOS电源IC及分立器件产品线资深副总裁Ralph Monteiro介绍，这些技术协同作用，可帮助800VDC系统实现高达5%的端到端能效提升，减少45%的铜材使用，并显著降低冷却与维护成本。

此次与NVIDIA的深度合作，标志着AOS在高端数据中心市场的关键布局。随着AI工厂的规模化部署，高效、可靠的功率半导体将成为支撑算力基建的核心要素。AOS正以技术创新，推动AI数据中心向更绿色、更可持续的未来迈进。

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