AON7524 (AOS N 沟道增强型 MOSFET) 关键参数 附引脚图

AON7524 是Alpha & Omega Semiconductor（AOS）一款采用 DFN 3×3 EP 封装 的 30V N 沟道增强型 MOSFET，基于其先进的 AlphaMOS（αMOS LV） 工艺，具备超低导通电阻、高电流能力及优异的开关特性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率应用。

01、关键电气参数（TJ = 25°C）

漏源击穿电压 VDS：30 V

连续漏极电流 ID：28 A（TC = 25°C），22 A（TA = 25°C）

导通电阻 RDS(on)（典型值 / 最大值）：

2.6 mΩ / 3.3 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 20 A

3.0 mΩ / 4.0 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 18 A

4.4 mΩ / 5.8 mΩ @ VGS = 2.5 V, ID = 16 A

栅极阈值电压 VGS(th)：0.4–1.2 V（ID = 250 mA）

总栅极电荷 Qg：37 nC（典型值）@ VGS = 10 V, VDS = 15 V

输入电容 Ciss：2250 pF；输出电容 Coss：800 pF

体二极管反向恢复电荷 Qrr：23 nC（IF = 20 A）

该器件支持 1.8V–10V 宽范围栅极驱动，在 2.5V 即可实现 <6 mΩ 导通，非常适合由 MCU 直接驱动的低压系统。

02、热与封装特性

封装：DFN 3×3 mm，底部带外露焊盘（EP），利于散热；

热阻 RθJA：

30–40°C/W（t ≤ 10s 脉冲）

60–75°C/W（稳态，FR-4 板，2oz 铜）

最大功耗 PD：12.8 W（TC = 25°C）

结温范围：–55°C 至 +150°C

在连续 20A 负载、RDS(on) = 3.3 mΩ 时，导通损耗 P ≈ 1.32 W。若 PCB 散热良好（RθJA ≈ 60°C/W），温升约 79°C，结温仍在安全范围内。

03、开关与动态性能

开通延迟 td(on)：5 ns

关断延迟 td(off)：47.5 ns

体二极管反向恢复时间 trr：16 ns

低 Qg 与快速开关特性使其适用于 高频同步 Buck 转换器（如 500kHz–1MHz），可显著降低交越损耗。

04、典型应用场景

同步整流 MOSFET：用于 5V/12V 输出的降压转换器低边开关；

高边负载开关：配合电荷泵或自举电路控制电源通路；

H 桥电机驱动：两颗 AON7524 可构成半桥，驱动小型直流电机；

OR-ing 二极管替代：利用低 VSD（≈0.62V）实现冗余电源路径。

05、设计建议

PCB 布局：将底部焊盘通过 ≥6 个过孔连接至内层 GND 平面，最大化散热；

栅极驱动：推荐串联 2–10 Ω 电阻抑制振铃，必要时并联 TVS 防 ESD；

避免线性区长时间工作：尽管 VGS(th) 极低，但 SOA 曲线显示其安全工作区在高压大电流下受限，应确保快速开关；

ESD 防护：器件内置 HBM Class 3B 保护，但仍建议在装配与测试中遵循防静电规范。

06、AOS代理

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