AO4822A (AOS MOSFET) 中文参数参数详解 附引脚图及典型应用电路图

 AO4822A 是Alpha & Omega Semiconductor（AOS）一款采用 SOIC-8 封装的 30V 双 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效率 DC-DC 转换器中的 同步整流（SR） 和 负载开关 应用而优化。其低导通电阻、低栅极电荷及集成 ESD 保护特性，使其成为便携设备、服务器 VRM 及工业电源中理想的选择。

核心电气参数

漏源击穿电压 VDS：30 V

连续漏极电流 ID：8 A（TA = 25°C）；6.5 A（TA = 70°C）

导通电阻 RDS(on)：

<19 mΩ（典型值 15.5 mΩ）@ VGS = 10 V, ID = 8 A, TJ = 125°C

<26 mΩ（典型值 18.5 mΩ）@ VGS = 4.5 V, ID = 6 A

栅极阈值电压 VGS(th)：1.2–2.4 V（ID = 250 µA）

总栅极电荷 Qg：15 nC（典型值）@ VGS = 10 V, VDS = 15 V

该器件支持 逻辑电平驱动（4.5V 即可充分导通），兼容 3.3V/5V 控制信号，无需额外电平转换。

动态与热性能

输入电容 Ciss：740 pF（典型值）

反向传输电容 Crss：82 pF，有助于降低米勒效应引起的误导通风险；

体二极管反向恢复时间 trr：8 ns（IF = 8 A, di/dt = 500 A/µs），虽非超快恢复，但在多数 Buck 同步整流中表现良好；

热阻 RθJA：74°C/W（稳态，FR-4 板），需合理布局铜箔以改善散热。

引脚图及典型应用电路图

典型应用场景

AO4822A 最常见的用途是在 Buck 同步降压转换器 中同时作为高边和低边开关：

高边 MOSFET：由自举电路驱动，工作于硬开关状态；

低边 MOSFET：替代传统续流二极管，实现同步整流，显著提升效率（尤其在轻载时）。

此外，也可用于：

USB 端口电源开关

电池保护电路中的双向导通控制

多相 VR 输出级并联

设计注意事项

SOIC-8 散热限制：尽管标称 8A，但在无强制风冷或大面积铺铜条件下，建议降额至 5–6A 连续使用；

避免交叉导通：在同步 Buck 中，必须设置足够死区时间（典型 >30 ns），防止高低边直通；

PCB 布局：功率回路（VIN → 高边 D → 低边 S → GND）应尽量短且宽，降低寄生电感引起的电压尖峰；

ESD 保护：器件已内置 ESD 保护结构，但仍建议在生产与装配中遵循防静电规范。

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