安森美荣获三项亚洲金选奖，引领智能电源与感知技术革新

在近期揭晓的 亚洲金选奖（EE Awards Asia） 中，安森美（onsemi）凭借其在智能电源和智能感知领域的卓越创新，一举斩获三项重量级奖项：年度最佳功率半导体奖、年度最佳传感器奖（最具潜力产品） 以及 五周年成就奖。这些荣誉不仅彰显了安森美在全球半导体行业的领先地位，也体现了市场对其技术创新的高度认可。

年度最佳功率半导体奖：750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

安森美的 UG4SC075005L8S 是一款 750V SiC Combo JFET，专为满足AI领域大电流、高功率应用需求而设计。该器件采用创新的Combo架构，在保持高能效的同时，显著提升了系统可靠性和友好性。其主要优势包括：

超低导通电阻RDS(on)：得益于先进的SiC JFET技术，UG4SC075005L8S的导通电阻低至 5 mΩ，大幅降低了导通损耗，提高了整体能效。

更高的峰值电流Idm：适用于要求高稳健性的电路保护应用，能够处理大电流穿越，确保系统稳定运行。

低热阻RθJC：通过银烧结裸片贴装技术，实现了六倍于传统焊接材料的界面导热性能，即使在较小的裸片尺寸下也能保持较低的结温，提升长期可靠性。

此外，UG4SC075005L8S具备出色的速度可控性，能够在多路并联应用中实现开关损耗与动态电流的良好平衡，并兼容成熟的硅基晶体管驱动器，简化系统设计，加速产品开发进程。

年度最佳传感器奖（最具潜力产品）：Hyperlux™ ID iToF 先进深度传感器

另一项获奖产品是 Hyperlux™ ID iToF 先进深度传感器，代表了iToF传感技术的重大飞跃。该系列传感器使用安森美全新的全局快门像素架构，能够实时捕捉整个场景并进行深度测量，突破了标准iToF传感器的局限性，最远可实现 30米 的深度感知。

Hyperlux™ ID 系列包括 120万像素全局快门、3.5 µm背照式（BSI）像素传感器，如AF0130型号自带处理功能，简化集成并降低系统成本。对于需要自定义深度检测算法的客户，AF0131提供了高度灵活性。该系列传感器广泛应用于面部识别、手势检测、3D视频会议等消费类应用场景，以及工业自动化、机器人、制造质量控制、物流处理等领域。

相比传统iToF传感器，Hyperlux™ ID 在恶劣光线条件下表现优异，能够对移动物体进行精确测量，减少错误和停机时间，优化制造流程，从而降低运营成本。其深度感知距离是标准iToF传感器的四倍，且外形更为紧凑，同时生成黑白图像和深度信息，提供全面的环境视图，无需额外配置视觉和深度数据传感器。

五周年成就奖：持续创新赢得业界赞誉

作为五周年成就奖的获得者，安森美在过去五年中累计获得了最高票数，这不仅是对其产品的卓越性能和可靠性的肯定，更是市场与工程师社群对其不断创新的认可。安森美始终致力于推动智能电源和智能感知技术的发展，助力各行各业实现更高效、更可靠的解决方案。

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