AO9926B：20V双N沟道MOSFET，精简电源板设计 代理现货供应

AO9926B是AOS万代一颗SO‑8封装双N沟道沟槽MOSFET，单颗芯片集成两路N沟道MOS，支持低栅压驱动，兼顾低导通电阻与低栅极电荷，适合负载开关、电池管理、小功率电源变换等场景，助力硬件小型化设计。

一、双路MOS设计选型常见痛点

1、分立两颗MOS，占用PCB面积大

需要两路功率开关时，采用两颗独立MOS器件，会占用更多布板空间，不利于小型化设备的紧凑布局，物料数量也随之增加。

2、低电压MCU驱动，MOS开启不充分

很多系统主控IO输出仅1.8V‑3.3V，部分MOS管阈值电压偏高，低压栅极条件下无法完全导通，导通电阻变大，带来发热超标问题。

3、开关损耗与导通损耗难以兼顾

既要低导通压降减少发热，又希望栅极电荷小，实现高速开关，很多分立器件很难同时满足两项指标。

4、物料种类多，采购与生产管理繁琐

双路方案使用两颗独立MOS，物料清单变长，采购、贴片生产环节管理成本上升，也会提升物料错料风险。

二、AO9926B核心特性解析

AO9926B采用沟槽工艺，SO‑8封装内部集成两路N沟道MOSFET，V耐压20V，单通道连续电流7.6A，支持1.8V低栅极驱动，符合RoHS无卤标准，编带出货适合大批量SMT生产。

1、单芯片双N沟道，精简BOM与PCB面积

一颗SO‑8芯片集成两路独立N沟道MOSFET，原本需要两颗器件实现的双路开关功能，现在仅用一颗即可完成，减少器件数量，缩小PCB占用面积，简化物料管理。

2、宽栅压适配，支持1.8V逻辑电平驱动

阈值电压典型1.1V，可在VGS低至1.8V条件下正常开启；不同栅压下导通电阻表现优异：VGS=10V最大23mΩ，4.5V最大26mΩ，2.5V最大34mΩ，1.8V最大52mΩ，可直接对接3.3V、1.8V输出的MCU，无需额外电平转换电路。

3、低栅极电荷，适配高速开关工况

拥有较低栅极电荷与寄生电容，开关速度快，体二极管反向恢复时间短，降低高频应用下开关损耗，可用于单向、双向负载开关以及小功率DC‑DC变换电路。器件工作结温范围‑55℃~+150℃，满足消费及工业宽温使用需求。

4、标准SO‑8封装，便于量产落地

采用通用SO‑8贴片封装，编带包装，兼容标准SMT产线，湿气敏感性等级MSL‑1，仓储管控简单，适合消费电子、工业模块大批量生产。

三、AO9926B引脚图及典型应用电路图

四、典型应用场景

- 电源通路：单向/双向负载开关电路

- 电池设备：锂电池供电系统电源控制

- 电源变换：小功率DC‑DC转换器

- 其他：20V以内，需要双路N沟道功率开关的硬件设计

AO9926B依托沟槽工艺双N沟道集成架构，支持1.8V低压逻辑驱动，兼顾低导通电阻与低栅极电荷，SO‑8单颗实现双路功率开关，精简BOM与PCB空间，为硬件工程师提供紧凑化的功率开关选型方案。

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