AOS双产品入围2026全球电子成就奖

2026年度全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）入围名单近日揭晓，AOS凭借两款创新产品双双登榜：SmartClamp™保护型DrMOS系列入围"年度电源管理/电压转换器产品"，双面散热源极朝下封装25V/80V MOSFET——AONC40202与AONC68816入围"年度功率半导体产品"。这已是AOS连续第二年获得该奖项认可，此前其16相控制器AOZ73016QI及DFN3.3×3.3源极朝下封装MOSFET AONK40202、Mega IPM7系列智能电源模块均曾斩获提名。

SmartClamp™ DrMOS：为AI服务器量身定制的安全功率方案

AI服务器与高端GPU对功率器件的可靠性提出了前所未有的要求。在训练集群中，GPU负载瞬息万变，瞬时电流尖峰极易对功率链路造成冲击，传统的DrMOS产品在过流保护方面往往只能实现单方向侦测，难以应对复杂工况下的全链路保护需求。

AOS SmartClamp™系列正是针对这一痛点而设计。该系列集成高精度的过流保护（OCP）与负电流保护（NCP）功能，其中AOZ53228QI系列更是业内首款真正实现上下限双向侦测且限流的DrMOS产品。这意味着在AI服务器高负载运行时，无论是正向过流还是反向灌电流异常，芯片均能第一时间响应并限流，确保GPU等高端负载的安全稳定运行。

这一"全向保护"设计理念，标志着DrMOS产品从单纯的功率开关向"智能功率保护节点"的演进，为AI数据中心电源设计提供了更高安全裕度的底层器件支撑。

双面散热源极朝下封装：突破AI电源散热瓶颈

在功率密度持续攀升的AI服务器电源设计中，散热能力往往成为制约系统性能的关键瓶颈。AOS此次入围的AONC40202（25V）与AONC68816（80V）两款MOSFET，采用了双面散热的DFN 3.3×3.3源极朝下（Source-down）封装技术。

与传统DFN封装仅通过底部焊盘散热不同，源极朝下架构将芯片源极直接暴露于封装底部，利用上下两个散热面进行热管理，大幅降低了热阻，提升了散热效率。配合AOS自研的AlphaSGT™先进硅技术，这两款器件在降低导通电阻的同时优化了开关损耗，为AI电源设计人员提供了一种兼顾高功率密度、优异可制造性与长期可靠性的整体解决方案。

在25V和80V两个主流电压平台上，这两款MOSFET覆盖了AI服务器电源从前端PFC到后端VRM各阶段的供电需求，有助于简化BOM并提升系统级能效。

聚焦电源管理，深耕三大核心市场

从SmartClamp™ DrMOS到双面散热MOSFET，AOS的产品布局清晰地指向一个方向：以技术创新回应AI算力时代对电源管理的极致要求。目前，AOS正聚焦电源管理技术的优化升级，围绕消费电子、工业应用和新能源三大核心领域，持续提供兼具高效能与高可靠性的产品方案，巩固其在功率半导体领域的竞争优势。

全球电子成就奖由ASPENCORE主办，旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业与产品。各类奖项的提名企业均为行业领先者，充分体现了获奖企业在业界的领先地位与不凡表现。

AOS中国代理商-深圳市中芯巨能电子有限公司，为制造业厂家的工程师或采购提供选型指导+数据手册+样片测试+生产排单等服务。现货供应、一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。如需产品规格书、样片测试、采购、生产排单等需求，请加客服微信：13310830171。