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无变压器高压(≥100V)转低压技术方案

来源:ADI代理、原厂货源 - 中芯巨能| 发布日期:2025-11-29 14:00:01 浏览量:

一、核心结论

无变压器实现 100V 以上高压转低压可行,核心是采用高压降压转换器:需耐受≥100V 输入,且在小占空比下保持高效,尤其适用于低输出电压场景。

二、拓扑与器件选型

无变压器拓扑优选

低电压场景常用无变压器开关模式电源(SMPS),高电压场景可替换为高压降压控制器(如 LTC7897),其优势在于:

省去变压器,降低设计复杂度与成本;

高功率转换效率,支持高输出电压及正转负电压生成。

对比传统方案:基于反激 / 正激拓扑的开关稳压器虽支持高压转换,但需笨重且昂贵的变压器,非优选。

关键器件参数要求

拓扑控制:如图 1 降压拓扑,开关 S1/S2 决定输入电压范围,IC 驱动器需提供 “最大电源电压 + MOSFET 阈值电压” 的栅极电压,故 IC 与 MOSFET 需匹配选型。典型 IC(LTC7897):输入电压最高 135V(绝对最大值 140V),输出电压≤输入电压,例如 100V 转 12V 时,搭配分立大电流 MOSFET 可实现 20A 负载电流(图2  电路)。

图 1 和图 2

三、正转负电压应用

采用反相降压 - 升压拓扑,无需变压器,仅通过线圈即可从正高压生成负电压,核心要求:

转换器需耐受 “输入电压(VIN)+| 负输出电压(VOUT)|”,例如 VIN=48V、VOUT=-65V 时,额定电压需≥103V;

实例:LTC7897 反相拓扑(图 3)可实现 48V 转 - 65V,适配高负电压需求场景。

图 3

四、LTC7897 核心特性

拓扑类型:同步降压 DC/DC 控制器,驱动 N 沟道 MOSFET,同步整流降低功耗与散热需求;

栅极驱动:15V 绝对最大额定值,5~10V 可调(适配逻辑级 / 标准阈值 MOSFET),外部电阻可优化死区时间,兼顾效率与高频操作;

宽压范围:支持高降压比及宽范围正负电压转换。

五、典型应用场景

工业电力系统、军事 / 航空电子设备、电信电源系统。

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