RBE019N10R1SZQ4：100V超低阻MOSFET，TOLL封装助力高密度电源设计

在高效率、高功率密度电源系统中，功率MOSFET的导通损耗、热性能与封装可制造性已成为决定整体方案成败的关键因素。瑞萨电子（Renesas）推出的RBE019N10R1SZQ4 （订购料号：RBE019N10R1SZQ4#GB0） 是一款基于 REXFET-1 split-gate 技术 的 100V N 沟道功率 MOSFET，凭借 1.9mΩ（最大值）的超低导通电阻、230A 连续漏极电流能力，以及采用 TOLL（Top-Cooled Leadless Outline）封装，为工业、能源和电动工具等严苛应用提供了兼具高性能与高可靠性的解决方案。

REXFET-1 技术：优化导通与开关性能平衡

REXFET-1 是瑞萨专有的分栅（split-gate）结构技术，通过精细调控元胞电场分布，在大幅降低 RDS(on) 的同时有效抑制输入电容（Ciss）和米勒电荷（Qgd）。RBE019N10R1SZQ4 在 VGS = 10V 条件下实现 RDS(on) ≤ 1.9mΩ，显著减少传导损耗；同时其较低的栅极电荷特性支持高频开关操作（典型应用于 100–500kHz 范围），适用于高效率 DC/DC 转换器或电机逆变器。

器件阈值电压 VGS(th) 为 2.0V 至 4.0V，兼容标准 5V 或 10V 栅极驱动器，无需负压关断或复杂自举电路，简化驱动设计并提升系统鲁棒性。

TOLL 封装：无引线+可润湿侧翼，兼顾散热与可制造性

RBE019N10R1SZQ4 采用 TOLL 封装（5.8mm × 7.6mm），具备以下工程优势：

顶部裸露焊盘直接连接芯片源极，支持从封装顶部高效导热，显著降低结壳热阻（Rth(j-c)）；

Wettable Flanks（可润湿侧翼）结构：在封装侧面形成明确的焊料爬升区域，便于 AOI 光学检测，提升 SMT 装配良率与可靠性；

无引线设计：降低寄生电感，减少开关振铃，改善 EMI 性能；

紧凑尺寸：比传统 D²PAK 减少约 30% 占板面积，适合高密度 PCB 布局。

该封装特别适合多相并联、服务器 VRM、车载 OBC 等对热性能与空间效率双重要求的场景。

可靠性与认证保障

100% 雪崩能量测试：确保在感性负载关断或短路等异常工况下具备强健耐受能力；

MSL1 湿度敏感等级（符合 IPC/JEDEC J-STD-020）：支持无烘烤回流焊接，提升产线效率；

RoHS 合规：无铅表面处理，满足全球环保制造标准。

典型应用场景

工业伺服驱动与机器人关节电机：高 ID 能力支持瞬时大电流输出；

48V 电动工具与园林设备：低 RDS(on) 提升续航，TOLL 散热应对连续高负载；

光伏逆变器与储能 DC/DC：高可靠性适应户外高温、高湿环境；

数据中心 POL 电源：低损耗助力实现 >95% 转换效率；

工业自动化电源模块：可润湿侧翼提升批量生产一致性。

设计建议

为充分发挥 TOLL 顶部散热优势，建议在封装顶部贴装散热片或使用导热垫连接至机壳；

栅极驱动走线应尽量短，并串联 1–10Ω 电阻以抑制高频振荡；

并联使用时，注意对称布局以实现均流，并避免热耦合不均。

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