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热约束如何影响MOSFET封装选型?
发布时间:2026-03-12
在高密度电源、电机驱动和快充等应用中,MOSFET的功耗虽小,但因芯片尺寸微缩,局部功率密度极高,导致结温迅速上升。若散热不足,不仅效率下降,还可能触发热关断甚至永久损坏。因此,热约束往往是MOSFET封装选型的决定性因素,远超电气参数本身。1. 热...
哪些因素决定MOSFET的最佳封装尺寸?
发布时间:2026-03-12
在电源、电机驱动和便携设备设计中,MOSFET的封装尺寸不仅影响电路性能,还直接关联散热能力、PCB面积、制造成本与系统可靠性。选择“最小”或“最大”封装并非最优策略,而应基于以下核心因素进行综合权衡。1. 功耗与热管理需求封装尺寸首要由...
瑞萨电子SuperGaN技术的独特优势
发布时间:2026-03-12
在氮化镓(GaN)技术竞争日趋激烈的当下,瑞萨电子依托收购Transphorm获得的核心技术,推出的SuperGaN技术凭借差异化设计,在性能、可靠性和应用适配性上形成独特优势,打破行业对GaN仅适用于低功率场景的认知,成为高功率电源解决方案的优选。SuperGaN...
TP65H070G4LSGBEA (瑞萨电子功率器件)中文参数 附引脚图
发布时间:2026-03-12
在800W至1.5kW功率段的高效电源系统中,如服务器AC/DC、光伏组串逆变器和工业电机驱动,对开关器件的导通损耗、热性能与长期可靠性提出严苛要求。瑞萨电子推出的 TP65H070G4LSGBEA (订购料号:TP65H070G4LSGBEA-TR) 是一款基于第四代 SuperGaN® ...
瑞萨电子:氮化镓功率半导体的革新者,引领高效能与可靠性新时代
发布时间:2026-03-11
在追求更高效率和更小体积的电源设计领域,氮化镓(GaN)功率半导体正逐渐取代传统的硅基器件。作为行业先驱,瑞萨电子凭借其独特的技术优势和广泛的产品组合,为从25W到10kW以上的广泛应用场景提供了可靠的高性能解决方案。截至目前,瑞萨已出货超过...
隐私优先的智能视觉:Calumino携手意法半导体以热成像+边缘AI破局
发布时间:2026-03-11
在智能家居、智慧楼宇与远程照护快速普及的今天,传统摄像头因采集可识别图像而引发的隐私争议日益尖锐。如何在获取有效行为数据的同时彻底规避身份泄露风险?澳大利亚初创公司 Calumino 给出的答案是:用热成像替代可见光,并将AI推理完全留在设...
TP70H480G4ZS (瑞萨电子功率器件)中文参数详解 附引脚图
发布时间:2026-03-11
在30W至200W功率段的AC/DC和DC/DC转换应用中,对高效率、小体积与系统成本的综合优化需求日益突出。瑞萨电子推出的 TP70H480G4ZS (订购料号:TP70H480G4ZS-TR)是一款基于第四代 SuperGaN® 平台 的700V常关型氮化镓(GaN)场效应晶体管,采用 DPAK(TO-...
意法半导体携手AWS:数十亿美元合作押注AI基础设施芯片
发布时间:2026-03-11
意法半导体(STMicroelectronics)与亚马逊云科技(AWS)近日宣布达成一项多年期、价值数十亿美元的战略供应协议,标志着这家欧洲半导体巨头正式跻身全球云计算基础设施核心芯片供应商行列。根据协议,ST将为AWS数据中心提供一系列高性能模拟、功率管...
瑞萨电子低功率(<300W)高电压GaN FET选型指南
发布时间:2026-03-10
在快充适配器、小型服务器电源、工业辅助电源及光伏微型逆变器等低功率(<300W)应用中,氮化镓(GaN)器件凭借高频、高效与高功率密度优势,正加速替代传统硅基MOSFET。瑞萨电子基于其第四代 SuperGaN®平台,推出一系列650V与700V常关型GaN FET,覆盖15...
高压IBC中的半导体技术与关键评估指标
发布时间:2026-03-10
随着云计算和数据中心对电力传输效率的要求日益提高,供电架构正朝着更高电压的方向演进。特别是在数据中心内部,高压直流配电系统逐渐普及,通过高压IBC(Intermediate Bus Converter)将800V直流母线电压降至50V或12V,为下游负载供电。本文将深入...
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