ROHM推出TSC3PAK封装SiC MOSFET适配车载与工业场景

全球半导体巨头ROHM（罗姆）近日发布新款SiC MOSFET产品，采用全新TSC3PAK表贴封装（尺寸14.00×18.58×3.50mm），兼具自动安装便利性与插装型封装级散热性能，可广泛应用于电动汽车车载充电器（OBC）、电动压缩机及工业光伏逆变器、服务器电源等场景，助力功率转换电路实现高效化、小型化升级。该产品已于2026年6月正式开启量产。

封装创新：表贴设计，散热性能对标插装型

当前，SiC器件在xEV与工业设备领域应用持续扩大，传统大功率SiC器件多采用TO-247-4L等插装型封装，虽散热性能优异，但存在需手工安装、难以薄型化的痛点。ROHM新款SiC MOSFET采用表贴型设计，支持自动化贴片工艺，可大幅提升生产效率、降低人工成本，同时优化设备整体体积。

为解决表贴封装散热短板，该产品采用顶部散热结构设计，将散热面置于封装顶部，可直接贴合散热器，实现与TO-247-4L插装型封装同等级别的散热性能，确保大功率运行时的热稳定性。此外，封装兼容市场主流规格，无需大幅调整现有电路设计，便于客户快速导入应用。

核心性能：高耐压、低损耗，适配高压场景

新款SiC MOSFET搭载ROHM第4代SiC MOSFET芯片，结合自研沟槽设计，实现了6.66mm业界先进爬电距离，可在污染等级2级环境下耐受1200V交流峰值电压，满足高压应用场景的安全绝缘设计要求，有效提升系统可靠性，同时简化绝缘防护设计、降低安装成本。在电气性能方面，依托第4代SiC MOSFET核心技术，产品实现了低导通电阻与高速开关特性，可大幅降低功率转换过程中的开关损耗，助力应用产品提升能效、实现节能目标。同时，高速开关特性可适配高频功率转换电路，进一步缩小电路体积，提升功率密度。

TSC3PAK表贴封装（尺寸14.00×18.58×3.50mm）可选型号

SCT4013DTW

SCT4020DTW

SCT4026DTW

SCT4036DTW

SCT4045DTW

SCT4065DTW

SCT4018KTW

SCT4027KTW

SCT4036KTW

SCT4050KTW

SCT4062KTW

SCT4090KTW

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应用场景广泛，赋能多领域设备升级

这款新品的推出，精准契合xEV与工业设备的升级需求。在车载领域，可应用于xEV车载充电器（OBC）、电动压缩机等核心部件，助力提升充电速度、延长车辆续航里程，同时优化车载设备的安装空间与运行可靠性。

在工业领域，其高耐压、高散热特性可适配光伏逆变器、服务器电源等设备，满足工业场景对高效、稳定、小型化的核心需求，助力工业设备实现节能降耗与性能升级。无论是车载还是工业场景，该产品都能通过提升功率转换效率与可靠性，为设备升级提供核心支撑。

未来布局：扩充产品阵容，助力产业升级

随着新能源、数据中心等领域对高压、高效功率器件的需求持续攀升，SiC器件市场迎来快速发展期。ROHM表示，未来将持续扩充SiC MOSFET产品阵容，不断优化封装设计与芯片性能，为电子设备实现更高性能、更小体积、更高可靠性提供支撑。

此次新款TSC3PAK封装SiC MOSFET的量产，不仅体现了ROHM在SiC器件领域的技术积累，也为下游客户提供了高性价比、易导入的解决方案，助力功率半导体产业链向高效化、小型化、自动化方向升级。