安森美30kW AI电源方案斩获EESTAR方案之星

AI大模型算力的爆发式增长，对数据中心供电系统的功率密度、转换效率与可靠性提出了极致要求。近日，安森美30kW AI云计算电源单元（PSU）参考设计凭借核心技术突破与卓越性能表现，成功斩获电源网“EESTAR方案之星”大奖，为高密度AI基础设施供电提供了高效可落地的解决方案。

1U单槽突破性能上限，实测指标领跑行业

该参考设计专为新一代AI数据中心架构打造，严格遵循19英寸机柜1U高度规范，机箱尺寸220×800×40mm，可直接适配现有数据中心机柜改造，无需额外调整机柜结构，大幅降低部署成本。方案采用PFC+交错式LLC两级拓扑结构，在1U单槽规格下实现30kW额定功率输出，峰值功率可达33kW，功率密度表现行业领先。

核心性能指标方面，方案支持400~480Vac宽输入交流电压，输出稳定800Vdc（±400V）高压直流电，可有效降低线路传输损耗，简化配电系统设计，支撑大规模AI集群算力扩容。在480V输入、50%负载工况下，转换效率预计超98%；PFC开关频率70kHz，符合EN55032电磁兼容标准，交错式LLC开关频率高达700kHz，实现高频化与高效率的双重突破。

散热设计上，方案采用分层差异化优化策略：PFC电路搭载TO-247-4L标准封装，搭配大导热垫片，兼顾散热能力与方案易用性；LLC谐振电路采用HD-TSOP顶部冷却结构，可直装散热片强化散热，保障1U高功率密度下器件长期稳定运行，降低数据中心全生命周期供电损耗与总拥有成本（TCO）。

全栈SiC器件加持，解锁效率与散热双重突破

方案的卓越性能，核心源于安森美EliteSiC系列器件与配套驱动芯片的协同优化，构建了从器件到系统的高效供电体系。EliteSiC共源共栅JFET可大幅削减PFC级反向恢复损耗，同时支撑DC/DC级高频化运行，兼顾性能与成本优势；EliteSiC MOSFET在PFC级硬开关工况下实现最低总损耗，开关性能与品质因数业界领先。

此外，方案搭载NCP51563双通道栅极驱动器，与功率开关经过深度配对优化，有效抑制高频开关带来的震荡与损耗，保障系统稳定运行。全栈SiC器件的应用，不仅提升了转换效率，还进一步降低了器件发热量，配合分层散热设计，解决了1U高功率密度电源的散热痛点，为AI数据中心长期稳定运行提供可靠保障。

全栈方案能力，加速AI供电落地应用

作为覆盖电网到GPU全链路的电源解决方案提供商，安森美可提供3kW至30kW高压直流全功率段AI数据中心供电产品。此次获奖的30kW PSU参考设计，并非单一产品的突破，更体现了安森美从功率器件、控制芯片到系统方案的全栈创新能力。

该方案通过高度集成的系统级设计与成熟的器件技术，为AI服务器、云计算基础设施提供了可直接落地的参考模板，助力客户大幅缩短研发周期，快速推出适配下一代AI算力的供电系统。未来，安森美将持续依托SiC器件技术与系统集成优势，推动AI数据中心供电向更高能效、更低TCO、更高功率密度方向演进，为AI算力爆发提供坚实的能源支撑。

深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售安森美旗下系列IC电子元器件，常备安森美现货库存，原厂货源，保证原厂原装正品，一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。如需产品规格书、样片测试、采购、原厂订货等需求，请加客服微信：13310830171。