罗姆750V SiC MOSFET赋能AI服务器BBU，加速HVDC架构落地

来源：罗姆| 发布日期：2026-05-27 14:30:13 浏览量：

随着生成式AI的普及与GPU算力的持续跃升，数据中心的功耗正面临急剧增长的严峻挑战。为了有效降低输电损耗，AI服务器电源正加速向高压直流（HVDC）供电架构演进。在这一技术变革的背景下，全球知名半导体制造商罗姆（ROHM）宣布，其750V耐压的SiC MOSFET产品已被成功应用于AI服务器电源的电池备份单元（BBU）中，成为支撑下一代高效能电源系统的核心功率器件。

在HVDC架构的大功率、高电压运行环境中，为了在突发停电或瞬停等异常情况下，确保海量数据与系统的安全，以服务器机架为单位进行瞬时电力补偿的BBU和电容单元（CU）发挥着至关重要的作用。此次获得采用的罗姆产品为750V耐压SiC MOSFET“SCT4013DLL”，主要配置于当前AI服务器采用的±400V供电架构电源单元中。该产品充分发挥了碳化硅（SiC）材料的卓越特性，具备最高结温（Tj）达175°C的优异耐高温性能，即使在电压与功率密度日益提升、导致发热量剧增的BBU紧凑空间内，依然能够保持长期稳定的工作状态。

此外，面向未来的下一代800VDC供电架构，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，罗姆这款750V耐压的SiC MOSFET同样能够完美适配，展现出极强的技术前瞻性。下一代AI服务器的HVDC电源备份系统，要求电力控制核心能够在异常发生时，以瞬时响应且极低损耗的方式精准控制高电压与大电流。罗姆的SiC功率器件凭借兼具高耐压、低导通损耗与耐高温的硬核优势，精准契合了这一严苛的工程需求。

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