Vishay 推出五款 1200V SiC MOSFET 模块，以 SOT-227 封装实现“即插即用”升级

为满足电动汽车、可再生能源与工业电源对高效率、高功率密度的迫切需求，Vishay 近日发布五款全新 1200 V 碳化硅（SiC）—— VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA12 0、VS-SF150SA120 和 VS-SF200SA120。这些模块采用行业通用的 SOT-227 封装，不仅提供 50 A 至 200 A 的连续电流能力，更以 低至 12.1 mΩ 的导通电阻 和 集成软体二极管，显著降低开关损耗，助力系统能效跃升。

即插即用，无缝替代硅基方案

所有五款模块均采用 单开关 + 低边斩波器拓扑，并延续标准 SOT-227（又名 minBLOC）引脚布局，可直接替换现有设计中的 IGBT 或硅 MOSFET 模块，无需修改 PCB。这一“drop-in upgrade”策略大幅降低 SiC 技术导入门槛，使工程师能在不增加开发成本的前提下，快速提升系统效率与功率密度。

此外，模块采用 模压封装工艺，提供 2500 V/1min 电气绝缘强度，省去了传统方案中模块与散热器之间的额外绝缘垫片或云母片，进一步简化热管理设计并降低成本。

高性能 SiC 内核，专为高频应用优化

每颗模块内置 Vishay 最新一代 1200 V SiC MOSFET，其关键优势包括：

集成体二极管具备极低反向恢复电荷（Qrr），近乎零恢复特性，有效抑制开关振铃；

超低输出电容（Coss）与 栅极电荷（Qg），支持 MHz 级高频开关；

最高工作结温达 +175°C，适应严苛热环境；

典型 RDS(on) 低至 12.1 mΩ（VS-SF200SA120），导通损耗显著优于同级硅器件。

覆盖多元高增长市场

凭借高效率与高可靠性，该系列模块广泛适用于以下场景：

电动汽车：车载充电机（OBC）、DC/DC 转换器；

能源系统：光伏逆变器、大型电池储能（BESS）；

工业设备：HVAC 变频驱动、焊接电源、UPS；

通信基础设施：高密度服务器电源、5G 基站 SMPS。

所有器件均符合 RoHS 标准，现已量产。Vishay 此次以标准化封装切入 SiC 功率模块市场，不仅加速了宽禁带半导体在主流应用中的普及，更为系统设计者提供了一条低成本、低风险、高回报

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