意法半导体MasterGaN6：高集成GaN半桥SiP，赋能高效紧凑型电源设计

意法半导体（ST）近日推出 MasterGaN6——其广受欢迎的MasterGaN系列氮化镓（GaN）功率系统级封装（SiP）的第二代新品。该器件在一个 9mm×9mm QFN封装 内集成了 140mΩ超低导通电阻（RDS(on)），并首次引入故障指示与待机控制引脚，显著提升系统智能化水平与轻载能效，为消费电子与工业电源提供更简洁、高效的高频解决方案。

高度集成，大幅简化外围设计

MasterGaN6延续了MasterGaN系列“驱动+功率”一体化理念，并进一步增强功能集成度：

内置 BCD工艺栅极驱动器，具备极短传输延迟与快速开关时序；

集成 自举二极管 与 低压差线性稳压器（LDO），无需外接高压二极管或辅助电源；

新增 FAULT（故障指示）与 STBY（待机）引脚，支持主控MCU实时监控状态并进入超低功耗模式；

超快唤醒时间（<1 µs），显著优化突发模式（Burst Mode）下的轻载效率。

这些特性可减少 多达15颗外围元器件，缩小PCB面积30%以上，同时提升系统可靠性。

性能与保护兼备

最大输出电流：10A（连续），适用于中高功率应用；

开关频率：支持数百kHz至MHz级操作，助力磁性元件小型化；

安全机制完善：

交叉导通（shoot-through）保护，杜绝上下管直通风险；

热关断（TSD）与高低侧独立欠压锁定（UVLO）；

故障信号可触发系统级保护策略，提升整体鲁棒性。

广泛适配主流拓扑

MasterGaN6采用标准半桥配置，兼容多种高效拓扑结构，包括：

有源钳位反激（ACF）——用于高密度快充；

LLC谐振转换器——适用于适配器与LED驱动；

图腾柱PFC（无桥PFC）——提升AC/DC前端效率；

双向降压-升压 或 DC/AC微型逆变器——面向太阳能与储能应用。

典型应用场景涵盖 65W–300W快充、LED照明电源、工业辅助电源及光伏微型逆变器。

开发支持完善

为加速设计导入，ST同步推出 EVLMG6评估板，并已将MasterGaN6纳入 eDesignSuite在线设计平台，支持电气仿真与 PCB热分布建模，帮助工程师在早期阶段优化布局与散热策略。

目前，MasterGaN6已正式量产。凭借其高集成度、智能控制接口与全面保护机制，该器件不仅延续了GaN技术的高频高效优势，更通过系统级创新，为下一代绿色电源提供了即插即用的高性能核心模块。

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