英飞凌2025年碳化硅技术突破：从产品到应用的全面革新

随着2025年的接近尾声，回顾这一年，英飞凌（Infineon）在碳化硅（SiC）技术领域的创新与进步无疑成为了行业瞩目的焦点。通过一系列前沿产品和技术的发布，英飞凌不仅巩固了其在功率半导体市场的领导地位，还为全球科技发展注入了新的动能。本文将从产品发布和技术发布两大板块，详细解析英飞凌今年的亮点成果。

一、产品发布：多领域覆盖，精准满足市场需求

CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 和 1400V 单管

2025年，英飞凌推出了新一代CoolSiC™ MOSFET G2系列，包括1200V和1400V单管，提供多种封装选择。特别是顶部散热Q-DPAK封装的1200V MOSFET，通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客户降低系统成本。相比传统的底部散热方案，顶部散热设计优化了PCB布局，减少了寄生元件和杂散电感的影响，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、AI及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。

而1400V CoolSiC™ MOSFET G2则针对高母线电压应用进行了优化，最低导通电阻可低至6mΩ，能够轻松适应母线电压大于1000V的场景。该系列产品采用加粗至2mm的功率管脚，并引入背板回流焊工艺，提升了产品的可靠性和电流承载能力，成为高压电力电子系统的理想选择。

EasyPACK™ C 系列碳化硅功率模块

2025年10月，英飞凌重磅推出了EasyPACK™ C 系列碳化硅功率模块。该模块集成了CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术，并采用了公司专有的**.XT互连技术**，实现了多项性能突破。相较于上一代产品，功率密度提升了超过30%，使用寿命延长高达20倍，导通电阻（RDS(on)）显著降低了约25%。

在实际应用中，该模块表现出色。它能够在结温高达200°C的条件下进行过载开关操作，并且搭载全新PressFIT压接引脚，使电流承载能力提升了一倍。此外，全新的塑封材质与硅凝胶设计支持模块在最高175°C的结温下稳定运行，并具备一分钟内耐受3千伏交流电的隔离等级。这些特性使其在快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统以及不间断电源设备等工业应用中脱颖而出。

高压3300V XHP™ 模块

英飞凌推出的3.3kV CoolSiC™ MOSFET XHP2模块，凭借创新的**.XT互连技术**成为高压大功率领域的“性能王者”。其额定电流达到1000A，在25°C时导通电阻低至1.9mΩ，支持4kHz高频开关，显著降低了损耗并提升了系统效率。该模块采用了芯片表面覆铜、铜键合线、AlN陶瓷基板及银烧结技术，热阻降低了30%，瞬态散热能力大幅提升。关键性能测试超越行业标准，浪涌电流峰值达10000A，短路耐受3μs安全关断，功率循环寿命提升10倍。这使得它在轨道交通、风电变流器、工业驱动等场景中展现出巨大优势。

二、技术发布：前瞻布局，引领行业发展

基于200mm晶圆技术的碳化硅产品

2025年第一季度，英飞凌宣布向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，涵盖可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150mm晶圆向直径更大、更高效的200mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产，为该技术的量产和广泛应用提供了有力保障。

CoolSiC™ JFET 技术

2025年5月，英飞凌发布的CoolSiC™ JFET技术成为行业关注的焦点。该技术拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，为众多应用领域带来了新的解决方案。第一代CoolSiC™ JFET拥有最低值为1.5mΩ（750 VBDss）/2.3mΩ（1200 VBDss）的超低RDS(ON)，采用Q-DPAK顶部散热封装，便于并联，并具备可扩展的电流处理能力。为了应对严苛应用环境中的散热和机械问题，CoolSiC™ JFET采用了.XT互连技术与扩散焊接工艺，从而显著降低了器件在工业电力系统中常见的脉冲与循环负载下的瞬态热阻抗，并大幅提升了其可靠性。

在固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等领域，CoolSiC™ JFET技术展现出了巨大的应用潜力。其卓越的性能能够有效提高设备的稳定性和可靠性，降低故障率，为各行业的安全运行提供有力支持。

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