IPT017N12NM6 （英飞凌MOSFET）中文参数 附引脚图及典型应用电路图

IPT017N12NM6 是英飞凌（Infineon）一款采用创新 TO-Leadless（TOLL）无引线封装，具备 120 V 耐压 与仅 1.7 mΩ 的超低导通电阻（RDS(on)），为服务器电源、电动工具、工业逆变器及车载充电（OBC）等应用提供新一代硅基解决方案。

性能跃升：全面优化的关键参数

相比前代产品，IPT017N12NM6 在多项关键性能指标上实现显著提升：

RDS(on) 降低58%：在相同芯片面积下，导通损耗大幅下降，尤其在大电流连续工作场景（如48V/100A DC-DC变换器）中，可减少数瓦级热耗；

栅极品质因数 FOMg（RDS(on) × Qg）提升66%：意味着在开关过程中驱动能耗更低，适用于高频硬开关拓扑（如LLC、移相全桥）；

输出电荷品质因数 FOMoss（RDS(on) × Qoss）改善35%：有效降低轻载至中载工况下的开关损耗，提升整体效率曲线平坦度；

反向恢复电荷 Qrr 降低高达90%：得益于优化的体二极管特性，在同步整流或桥式拓扑中可显著抑制电压过冲与EMI，提升系统可靠性。

这些改进源于英飞凌第六代沟槽MOSFET工艺，通过更精细的元胞结构、低阻金属化层及优化掺杂分布，实现导通与开关性能的协同优化。

TOLL封装：兼顾散热与功率密度

IPT017N12NM6采用 TO-Leadless（TOLL）封装，其核心优势包括：

底部大面积铜焊盘直接贴装于PCB，热阻（Rth(j‑case)）比传统TO-220降低约40%，散热效率接近D²PAK，但占用面积减少30%；

无引线结构消除寄生电感，降低开关振铃，提升高频性能；

支持自动光学检测（AOI），兼容标准SMT回流焊工艺，适合高可靠性自动化生产。

该封装特别适合对功率密度与热性能要求严苛的应用，如1U服务器电源、5G基站电源模块或紧凑型工业伺服驱动器。

下图是IPT017N12NM6引脚图

典型应用场景

48V–12V 多相VRM：用于AI服务器CPU/GPU供电，低RDS(on)减少导通损耗，高FOM支持MHz级开关频率；

电动工具无刷电机驱动：120V耐压覆盖48V电池平台，低Qrr减少换相损耗，延长续航；

车载OBC与DC-DC转换器：满足AEC-Q101可靠性要求（需选车规型号），TOLL封装支持高振动环境下的长期稳定性；

光伏微型逆变器：高效率与低EMI简化EMC滤波设计。

设计建议

PCB布局：将MOSFET尽可能靠近输入电容，缩短功率环路；使用多层铜箔并打足够过孔以强化散热；

驱动设计：推荐栅极电阻1–10 Ω，配合低电感驱动回路，避免因dV/dt过高引发误导通；

并联使用：TOLL封装对称性好，易于多器件并联均流，适用于>200A大电流场合。

深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件，现货供应，100%原厂原装正品，一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。如需IPT017N12NM6产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。