新唐科技超低导通电阻MOSFET登场：快充发热难题迎刃而解

在智能手机、TWS耳机、智能手表及AR/VR设备对快充性能要求日益严苛的背景下，高功率密度带来的温升问题已成为制约充电速度与安全性的关键瓶颈。近日，一款面向消费电子快充应用的超低导通内阻MOSFET系列正式发布，以最低仅0.9 mΩ的RDS(on)刷新行业标杆，为终端设备实现高效、低温、安全的快速充电提供核心器件支撑。

该系列产品包括 KFCAB12084NL（2.2 mΩ）、KFCAB12088NL（1.6 mΩ）和 KFCAB12087NL（0.9 mΩ），均基于厂商独家低阻制程技术开发，专为5V–20V USB PD、QC等主流快充协议优化设计。在典型30W–100W快充场景中，其极低导通损耗可显著抑制功率路径上的温升，实测温升较传统MOSFET降低高达30%以上。

从“能充”到“敢快充”：热管理成快充升级关键

传统快充方案中，MOSFET作为电源路径中的关键开关元件，其导通电阻直接决定焦耳热（I²R）损耗。当充电电流提升至5A甚至10A级别时，即便几毫欧的RDS(on)差异，也会导致数瓦级功耗差异——不仅拉长充电时间，更可能触发过温保护，甚至影响电池寿命与整机安全。

而此次推出的超低内阻MOSFET通过优化元胞结构、降低接触电阻与金属布线阻抗，在相同封装尺寸下实现RDS(on)大幅压缩。以KFCAB12087NL为例，其0.9 mΩ导通电阻在10A持续电流下仅产生约90 mW导通损耗，远低于同类2 mΩ器件的200 mW，有效缓解PCB局部热点问题。

三大工程价值：效率、安全、体验全面提升

缩短充电时间：更低RDS(on)意味着更高可承受连续电流，在不增加温升的前提下支持更高功率输出，助力终端实现“10分钟充50%”等极致快充体验；

提升系统安全性：温升降低直接减少热应力对周边元件（如电容、电池保护IC）的影响，延长整机使用寿命，并降低因过热引发的安全风险；

简化热设计：无需额外增加散热片或铜箔铺地面积，节省PCB空间与BOM成本，特别适合TWS耳机、智能手表等空间受限产品。

应用聚焦：高密度便携设备首选

该系列MOSFET已广泛适配于：

智能手机：用于Type-C接口VBUS开关、电荷泵输入级；

TWS耳机充电盒：支持大电流无线快充与有线快充双路径；

智能手表/手环：在有限空间内实现高效能量传输；

AR/VR头显：满足高瞬时功率需求下的热稳定性要求。

随着USB PD 3.1标准将快充功率推至240W，以及GaN快充普及带动系统电流密度持续攀升，对功率开关器件的性能要求也水涨船高。此款超低RDS(on) MOSFET的推出，标志着国产功率器件在高端快充赛道已具备与国际一线品牌同台竞技的技术实力。

在“快充不再烫手”的用户体验诉求驱动下，低导通内阻MOSFET正从幕后走向前台，成为快充方案成败的关键一环。未来，随着工艺持续迭代与封装创新，这一类器件有望进一步突破1 mΩ以下门槛，为下一代百瓦级便携快充生态奠定硬件基础。

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