STDRIVEG210/211：面向GaN应用的高集成半桥驱动器 附引脚图及原理图

STDRIVEG210与STDRIVEG211是意法半导体（STMicroelectronics）专为氮化镓（GaN）功率器件优化的半桥栅极驱动器，适用于母线电压高达220 V的工业、电信及高电压电池系统（如72 V电池组或110 V AC整流后系统）。两款器件在架构上高度集成，兼具高速开关能力、强抗干扰性与多重保护机制，为GaN在硬开关与谐振拓扑中的可靠应用提供关键支撑。

核心架构与驱动性能

两款驱动器均集成片上6 V线性稳压器，为上下桥臂MOSFET/GaN提供稳定栅极驱动电压。其拉电流与灌电流路径独立设计（拉电流2.4 A，灌电流1.0 A），允许分别优化开通与关断速度，从而精准控制dV/dt，抑制EMI并避免过冲。上下桥臂驱动信号的传输延迟匹配精度达10 ns，显著缩短所需死区时间，提升系统效率。

此外，器件内置自举二极管，省去外部二极管，简化上桥臂供电设计，降低BOM成本。独立的电源与接地引脚（含专用开尔文源极连接）便于实现精准的电流检测与低噪声栅极驱动布局，特别适合高di/dt应用场景。

应用定位差异化

STDRIVEG210 聚焦高效率功率变换，适用于服务器电源、USB-C PD适配器、太阳能微型逆变器、LED驱动等。其300 ns超快启动时间在突发模式（Burst Mode）下优势显著，可快速响应负载变化，减少唤醒延迟带来的效率损失。

STDRIVEG211 则面向电机驱动与音频放大场景（如电动工具、e-bike、泵、伺服系统及D类功放），额外集成过流检测与智能关断功能。当检测到异常电流时，可主动关闭输出，防止器件损坏。同时，其上桥臂具备独立UVLO保护，避免高压侧因供电不足导致的误导通。

鲁棒性与系统级优化

两款器件均具备：

±200 V/ns 的dV/dt抗扰度，有效抑制GaN快速开关引发的共模噪声耦合；

输入引脚支持高达20 V耐压，简化与3.3 V/5 V/15 V控制器的接口设计；

欠压锁定（UVLO） 防止低电压下低效或危险运行；

过热保护 提升长期可靠性；

待机（Standby）引脚 支持低功耗模式管理，便于系统级电源控制。

STDRIVEG210与STDRIVEG211引脚图

1、STDRIVEG210引脚图

1、STDRIVEG211引脚图

STDRIVEG210与STDRIVEG211原理图

STDRIVEG210与STDRIVEG211订购料号

TDRIVEG211Q

STDRIVEG211QTR

STDRIVEG210Q

STDRIVEG210QTR

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