罗姆与舍弗勒量产SiC高电压逆变砖

全球知名半导体制造商罗姆（ROHM） 与德国汽车零部件巨头舍弗勒集团（Schaeffler）近日联合宣布，双方战略合作取得关键进展：舍弗勒已正式启动搭载罗姆碳化硅（SiC）MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖的量产。该产品专为中国大型汽车制造商定制，标志着SiC技术在电动汽车核心动力系统中的应用迈入新阶段。

突破800V，定义下一代电驱性能

作为电驱动总成的核心部件，牵引逆变器直接影响电动汽车的能效、续航与动力表现。此次量产的逆变砖最大亮点在于其突破了传统800V平台的电压限制，支持更高电池电压系统，可实现高达650Arms的峰值电流输出。这一性能跃升，意味着车辆在高速行驶、急加速等高负载工况下具备更强的动力响应能力，同时有助于提升整体系统效率。

得益于罗姆先进的SiC MOSFET技术，该逆变砖在实现高效率与高输出功率的同时，还显著缩小了产品体积，推动了电驱动系统的轻量化与紧凑化设计。这对于空间受限的电动汽车平台尤为重要，有助于释放更多空间用于电池布局或其他功能模块，进一步优化整车架构。

SiC技术驱动能效革命

碳化硅作为第三代半导体材料，相较于传统硅基器件，具备更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的开关损耗。在电动汽车应用中，SiC功率器件可显著降低逆变器的导通与开关损耗，提升电能转换效率，从而延长续航里程。同时，其高频工作能力允许使用更小的无源元件，进一步减小系统尺寸和重量。

罗姆作为全球领先的SiC半导体供应商，其SiC MOSFET裸芯片（die）以高可靠性、优异的电气性能和成熟的制造工艺著称。此次直接采用裸芯片集成，不仅提升了功率密度，也体现了舍弗勒在先进封装与系统集成方面的强大技术实力。

战略合作深化，保障供应链稳定

罗姆与舍弗勒的合作由来已久。自2020年建立战略合作伙伴关系以来，双方在电驱动技术领域持续深化协同。2023年，双方进一步签署碳化硅功率器件长期供应协议，旨在强化SiC芯片的供应链体系，确保未来电动汽车大规模量产的稳定供应。

此次高电压逆变砖的成功量产，正是这一战略合作的实质性成果。它不仅验证了双方在技术研发、产品定义与制造协同方面的高度默契，也为未来更多联合创新项目奠定了坚实基础。

面向中国市场，加速电动化布局

值得注意的是，这款新型逆变砖是专为中国大型汽车制造商设计的。中国作为全球最大的新能源汽车市场，对高性能、高性价比电驱动系统的需求持续攀升。舍弗勒凭借其本土化布局与快速响应能力，结合罗姆的尖端半导体技术，能够更高效地满足中国车企对技术创新和供应链安全的双重需求。

随着全球汽车产业加速向电动化转型，高电压平台（如800V及以上）正成为高端电动车的主流趋势。罗姆与舍弗勒此次推出的SiC逆变砖，不仅提升了单体产品的性能边界，更通过规模化量产，推动了高电压电驱技术的普及进程。

展望未来

此次合作成果表明，半导体厂商与 Tier 1 供应商的深度绑定，已成为推动电动汽车核心技术进步的关键路径。未来，随着SiC成本的进一步下降和产能的持续释放，搭载SiC器件的电驱动系统将从高端车型向主流市场渗透。罗姆与舍弗勒的这一里程碑式合作，无疑为行业树立了典范，预示着更加高效、紧凑、智能的下一代电动汽车正加速驶来。