英飞凌多款产品斩获 elexcon 2025 年度大奖

8 月 26 日上午，elexcon 展会期间，2025 年度半导体市场创新表现奖获奖名单正式揭晓。英飞凌凭借技术创新实力，一举斩获三项重要奖项：第二代 CoolSiC™ MOSFET G2 1400V 分立器件与 1200V Easy C 系列碳化硅模块获 “年度优秀功率器件产品奖”，PSOC™ Edge 微控制器摘得 “年度优秀 AI 芯片奖”，其汽车业务亦荣获 “汽车电子应用先锋奖”。

此次奖项由 elexcon 展会主办方联合电子发烧友网等行业权威媒体共同评选，旨在表彰双线技术创新与供应链服务突出的企业。英飞凌工业与基础设施业务大中华区市场总监王丹、消费计算与通讯业务高级产品经理黄熘，以及汽车业务大中华区高级现场应用工程师赵苏晋分别代表公司领奖，彰显企业在多领域的技术领导力。

在功率器件领域，英飞凌获奖产品亮点显著。1400V CoolSiC™ MOSFET G2 系列采用 TO-247 及 TO-247 Plus Reflow 封装，针对高母线电压应用优化，可适配母线电压超 1000V 场景；2mm 加粗功率管脚提升电流承载能力，背板回流焊设计增强可靠性，为高压电力电子系统提供稳定支撑。1200V CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C 系列碳化硅模块则以业内首发的全新封装引发关注，依托先进 G2 芯片技术，实现 RDS (on)*A 降低 25%、输出功率提升约 30%，效率达行业顶尖水平。

AI 芯片领域，PSOC™ Edge 微控制器凭借硬件机器学习加速功能脱颖而出。该产品专为下一代边缘 AI 与控制设计，搭载多域异构架构：400MHz Arm® Cortex®-M55 内核搭配 Helium™ DSP、128MACs 算力的 Arm® Ethos™-U55 NPU，提升 AI 任务效率；低功耗场景下，200MHz Cortex®-M33 与超低功耗 NNLite 神经网络加速器协同，适配 “始终在线” 的边缘 AI 需求。同时，2.5D GPU 图形加速器可打造智能手机级交互界面，嵌入式 Edge Protect 技术保障隐私安全，广泛适用于运动手表、AI 眼镜等智能终端。

汽车电子领域，英飞凌凭借汽车级 MCU 与 IGBT 功率半导体获 “汽车电子应用先锋奖”。其汽车级 MCU 具备高性能架构与 ASIL-D 功能安全认证，赋能辅助驾驶、智能座舱；IGBT 功率半导体可提升电动汽车效率，助力绿色出行。目前，英飞凌汽车电子产品覆盖 50 余家主流车企，MCU 全球市场份额第一，通过完善工具链与本土化战略，推动软件定义汽车发展。

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