英飞凌两款 CoolSiC 器件摘年度奖，技术革新引瞩目

来源：英飞凌| 发布日期：2025-08-28 11:42:40 浏览量：

在 2025 年半导体市场创新表现评选中，英飞凌科技凭借两款突破性碳化硅器件 —— 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2 1400V 分立器件与 1200V Easy C 系列模块，成功斩获 “年度优秀功率器件产品奖”。英飞凌工业与基础设施业务大中华区市场总监王丹现场领奖，这一荣誉印证了其在功率半导体领域的技术领导力。

聚焦高母线电压应用需求，1400V CoolSiC™ MOSFET G2 系列通过两项关键设计升级实现性能跃升：一是将功率管脚规格提升至 2mm，大幅强化电流承载能力，轻松应对母线电压超 1000V 的严苛工况；二是引入背板回流焊工艺，显著增强器件长期运行可靠性，为风电、光伏等高压电力电子系统提供稳定保障。目前该系列已推出 TO-247、TO-247 Plus Reflow 两种封装，其导通电阻（Rdson）最低仅 6 毫欧，参数指标处于行业前列。

英飞凌两款 CoolSiC 器件摘年度奖

另一款获奖产品 1200V CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C 系列模块，凭借多维度创新成为行业焦点。芯片端采用新一代 G2 技术，使 RDS (on)*A 乘积降低 25%，输出功率提升近 30%，能效表现达到行业顶尖水平；材料层面选用耐高温创新材质，不仅支持 175°C 常规工作温度，即便在 200°C 过载环境下仍能稳定运行；引脚设计上，全新 PressFIT 结构实现电流承载能力翻倍，既降低 PCB 工作温度，又简化安装流程，同时提供两种 Pin 脚连接方案，适配不同应用场景需求。

英飞凌这两款获奖器件，在高压适配能力、能效提升及可靠性优化上的突破，为电力电子领域提供了更高效的解决方案，未来有望进一步推动新能源发电、工业电机控制等领域的技术升级与产品迭代。

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