英飞凌第二代CoolSiC™ MOSFET Q-DPAK封装详解

英飞凌科技近日宣布扩展其第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V产品线，新增Q-DPAK（Quad-Flat No-Lead Package with Exposed Pad on Top）顶部散热分立器件。这一系列器件专为工业应用设计，特别适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍该系列产品特性、产品型号及应用领域。

产品概述

Q-DPAK封装通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客户降低系统成本。与传统的底部散热方案相比，顶部散热设计允许更优化的PCB布局，减少寄生元件和杂散电感的影响，同时提供增强的热管理性能。这种封装方式不仅提高了系统的整体效率，还支持自动化组装，进一步降低了制造成本。

关键特性

SMD顶部散热封装：采用表面贴装技术（SMT），便于自动化生产，同时顶部散热设计有助于提高热传导效率。

低杂散电感设计：优化内部结构，减少杂散电感，提高开关速度和系统稳定性。

第二代CoolSiC™技术：基于先进的碳化硅材料，具备增强的开关性能和FOM（Figure of Merit）系数，显著降低导通电阻和开关损耗。

.XT扩散焊技术：确保高可靠性的电气连接，提升长期运行稳定性。

模塑化合物与槽设计：使用CTI＞600的模塑化合物和CD＞4.8mm的模塑槽，提供优异的耐湿性能和绝缘性能。

雪崩鲁棒性、短路耐受能力及功率循环可靠性：经过严格测试，确保在极端条件下的可靠运行。

产品型号

IMCQ120R007M2H

IMCQ120R010M2H

IMCQ120R017M2H

这些型号分别对应不同的导通电阻值，满足不同应用场景的需求。如需产品规格书、样片测试、采购、技术支持等需求，请加客服微信：13310830171。

应用价值

更高功率密度：得益于高效的热管理和低损耗特性，能够在更小的空间内实现更高的功率输出。

支持自动化组装：SMD封装适合自动贴片机操作，提高生产效率。

简化设计复杂度：优化的电气设计减少了外部元件需求，简化了电路板布局。

卓越的热性能表现：顶部散热设计有效降低结温，延长器件寿命。

降低系统功率损耗：低导通电阻和开关损耗有助于提高整体能效。

支持950V RMS工作电压：适用于高压应用环境，确保安全可靠运行。

高可靠性设计：通过多项可靠性测试，保证长期稳定运行。

降低总体成本：综合考虑材料、制造和维护成本，提供更具竞争力的解决方案。

竞争优势

更高的功率密度：相比传统封装，Q-DPAK封装在相同体积下可实现更高的功率输出。

显著提升热性能：顶部散热设计优于底部散热方案，有效降低热阻。

简化电气设计流程：减少外部元件数量，简化电路设计，加快产品上市时间。

应用领域

光伏：适用于太阳能逆变器中的DC-DC转换和DC-AC逆变。

电动汽车充电：用于车载充电器（OBC）和直流快充站。

不间断电源（UPS）：提高UPS系统的效率和可靠性。

固态断路器（SSCB）：实现快速响应和高可靠性保护。

人工智能（AI）：支持高性能计算设备的高效电源管理。

工业驱动：用于电机驱动器中的功率转换。

网联自动驾驶汽车（CAV）：支持高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载信息娱乐系统的高效电源解决方案。

结语

英飞凌推出的第二代CoolSiC™ MOSFET Q-DPAK封装产品，不仅在性能上实现了显著提升，还在成本和可靠性方面提供了全面的优势。通过采用先进的封装技术和材料，这些器件为工业应用提供了高效、可靠且经济的解决方案。对于寻求高性能、低损耗和高可靠性的工程师而言，这款新产品无疑是一个值得考虑的选择。